公开(公告)号：CN102194942A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010275579.4

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN101226978A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810004026.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一 ,  橘浩一 ,  信田直美 ,  三石严

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S362/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。

公开(公告)号：CN104916748A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410454176.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐田伦也 ,  橘浩一

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: 实施方式提供一种结晶缺陷的影响经抑制的高效率的光半导体元件。实施方式的光半导体元件包含第一导电型的第一氮化物半导体层、第二导电型的第二氮化物半导体层、及设置在所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的活性层。所述光半导体元件具有凹坑，该凹坑在所述活性层中具有始点，且沿从所述始点朝向所述第二氮化物半导体层的第一方向扩展。

公开(公告)号：CN101232068B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810008868.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  名古肇 ,  斎藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于(1-100)方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于(11-20)方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。

公开(公告)号：CN102157648A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010275566.7

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  彦坂年辉 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。

公开(公告)号：CN1921148A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115100.4

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤渉 ,  小野村正明 ,  田中明 ,  橘浩一 ,  藏口雅彦 ,  野田隆夫 ,  新田智洋 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。

公开(公告)号：CN102194942B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201010275579.4

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN100587986C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200810004026.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一 ,  橘浩一 ,  信田直美 ,  三石严

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y10S362/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。

公开(公告)号：CN100449800C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510097748.9

申请日：2005-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  本乡智惠 ,  布上真也 ,  小野村正明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III-V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。

公开(公告)号：CN1741296A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510097748.9

申请日：2005-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  本乡智惠 ,  布上真也 ,  小野村正明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III－V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。