公开(公告)号：CN1921148A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115100.4

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤渉 ,  小野村正明 ,  田中明 ,  橘浩一 ,  藏口雅彦 ,  野田隆夫 ,  新田智洋 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。

公开(公告)号：CN106531617B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201610031064.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河野洋志 ,  新田智洋

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法在＜10‑11＞±1度、＜10‑1‑1＞±1度、＜10‑12＞±1度或＜10‑1‑2＞±1度的方向上将杂质离子注入到SiC层。

公开(公告)号：CN106531787A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610109489.5

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河野洋志 ,  森塚宏平 ,  堀阳一 ,  山下敦子 ,  新田智洋

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7398

Abstract: 本发明提供具有接触电阻小的电极的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：碳化硅层；第1电极；绝缘膜，设置在碳化硅层与第1电极之间；第2电极，设置在碳化硅层的与第1电极相反的一侧，电连接于碳化硅层；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在碳化硅层内的第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在第1碳化硅区域内的第1电极侧；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第1电极侧；第2导电型的第4碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第3碳化硅区域的第2电极侧；及第3电极，一端设置在比第3碳化硅区域更靠第1电极侧，另一端设置在比第3碳化硅区域更靠第4碳化硅区域侧，包含金属硅化物。

公开(公告)号：CN106531617A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610031064.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 河野洋志 ,  新田智洋

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法在＜10-11＞±1度、＜10-1-1＞±1度、＜10-12＞±1度或＜10-1-2＞±1度的方向上将杂质离子注入到SiC层。