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公开(公告)号：CN112532220B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010057939.7
申请日：2020-01-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/567 , H01L29/78
Abstract: 实施方式提供具有简易构造的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：常关断晶体管，具有第1电极、第2电极、以及第1控制电极；常开启晶体管，具有电连接于第2电极的第3电极、第4电极、以及第2控制电极；第1元件，具有电连接于第1控制电极的第1端部和电连接于第1电极的第2端部，包含第1电容成分；以及第2元件，具有电连接于第1控制电极以及第1端部的第3端部和第4端部，包含第2电容成分，在将常关断晶体管的阈值电压设为Vth，将常关断晶体管的最大栅极额定电压设为Vg＿max，将第4端部的电压设为Vg＿on，将第1电容成分设为Ca、第2电容成分设为Cb时，Vth＜(Cb/(Ca+Cb))Vg＿on＜Vg＿max。
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公开(公告)号：CN112530923B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010074582.3
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。
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公开(公告)号：CN117747639A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211664373.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设置于半导体层上；第一电极膜，设置于第一绝缘膜上；第二电极膜，设置于第一电极膜上；以及第一场板电极，设置于第二电极膜上，第一场板电极的下端相比于第一电极膜的与第一绝缘膜接触的第一面而位于第二电极膜侧的第二面。
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公开(公告)号：CN114172123B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110029580.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
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公开(公告)号：CN117728655A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211642084.X
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一晶体管、包含第二晶体管的第一驱动电路、及包含第三晶体管的第二驱动电路。第二晶体管以及第三晶体管以串联的方式连接，其连接节点连接于第一晶体管的栅极电极。所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管是形成于包含GaN的第一基板的常关型的MOS型的HEMT。所述第一驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行充电。所述第二驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111697063B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910609701.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/778
Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备第一氮化物半导体层(3)即沟道层，位于第一氮化物半导体层(3)之上且带隙比第一氮化物半导体层第二氮化物半导体层(4)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第一电极(5)即源极电极；位于第一氮化物半导体层(3)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第二电极(7)即漏极电极；位于第一电极(5)与第二电极(7)之间的栅极电极(6)；位于第二氮化物半导体层上且高度与栅极电极(6)相同的第一场板电极(8)；以及位于第一场板电极(8)与第二电极(7)之间的第二场板电极(9)。(3)大的第二氮化物半导体层(4)即阻挡层；位于
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公开(公告)号：CN112530923A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010074582.3
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。
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公开(公告)号：CN1921148A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610115100.4
申请日：2006-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/02
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/42316
Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。
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公开(公告)号：CN117747655A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310175536.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备氮化物半导体元件、第一二极管以及第二二极管，氮化物半导体元件包括导电性的安装基座、形成于安装基座之上的半导体基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一主电极、第二主电极、第一栅极电极和第二栅极电极，所述第一二极管包括与所述安装基座电连接的第一阳极电极和与所述第一主电极电连接的第一阴极电极，所述第二二极管包括与所述安装基座电连接的第二阳极电极和与所述第二主电极电连接的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN114172123A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110029580.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
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