-
公开(公告)号：CN1237831C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN02105183.6
申请日：2002-02-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H04L29/1215 , G06Q10/107 , H04L51/28 , H04L51/30 , H04L51/38 , H04L61/1564 , H04L69/40 , H04M1/274558 , H04M1/57 , H04M1/575 , H04M1/576 , H04M1/578 , H04M1/656 , H04M1/72547 , H04M1/72552 , H04W4/12 , H04W88/02
Abstract: 一种能够标识消息发送者的通信终端装置，通过将附加到接收消息的源地址与事先登记到存储单元中的地址相比较，即使源地址中存在误差，只要当这两个地址的差别在预定的可允许范围之内时，可以通过将差错的源地址视为与登记的地址相同，来标识出消息发送者。
-
公开(公告)号：CN115084326B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
-
公开(公告)号：CN1445893A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03120627.1
申请日：2003-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明对实折射率波导型半导体激光器，得到高输出功率的半导体激光器。提供一种半导体激光器，其特征在于，具有：第1导电型包层；通过注入电流而放射光的有源层；第1的第2导电型包层；作为脊形波导路的第2的第2导电型包层；带隙比夹着上述第2的第2导电型包层在其两侧形成的上述第1及第2的第2导电型包层大的电流阻挡层；向上述第2的第2导电型包层导入电流时，具有足以防止漏电流流入上述电流阻挡层的迁移率的第3的第2导电型包层。
-
公开(公告)号：CN115084326A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
-
公开(公告)号：CN1481055A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03154693.5
申请日：2003-08-22
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 田中明
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种不降低可靠性的高光输出功率的半导体激光器元件。在具有带隙比发光区宽的窗口区的窗口结构的半导体激光器元件中，背面侧窗口区的带隙比前面侧窗口区的带隙窄。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1467891A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03140660.2
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。
-
公开(公告)号：CN1376004A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02105183.6
申请日：2002-02-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H04L29/1215 , G06Q10/107 , H04L51/28 , H04L51/30 , H04L51/38 , H04L61/1564 , H04L69/40 , H04M1/274558 , H04M1/57 , H04M1/575 , H04M1/576 , H04M1/578 , H04M1/656 , H04M1/72547 , H04M1/72552 , H04W4/12 , H04W88/02
Abstract: 一种能够标识消息发送者的通信终端装置,通过将附加到接收消息的源地址与事先登记到存储单元中的地址相比较,即使源地址中存在误差,只要当这两个地址的差别在预定的可允许范围之内时,可以通过将差错的源地址视为与登记的地址相同,来标识出消息发送者。
-
公开(公告)号：CN100359674C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a，且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范围内。
-
公开(公告)号：CN1921148A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610115100.4
申请日：2006-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/02
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/42316
Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。
-
公开(公告)号：CN105492507B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480047764.4
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及一种耐磨蚀性材料，其具有连续部和不连续部。连续部具有连续的构造。不连续部被配置为在连续部的内部成为不连续构造。该不连续部由平均粒径为1μm以下的粒子构成。另外，该不连续部由表面硬度以及杨氏模量比连续部高的材料构成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.026 seconds)
