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公开(公告)号：CN1163926C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00101829.9
申请日：2000-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , C23C14/00 , C22C9/00
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 作为接点，采用{W-CuxSb一余量Cu}合金；作为该合金中的耐电弧成分，采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo；作为辅助成分，采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb，x＝1.9～5.5，平均粒子间距为0.2～300um。另外，作为导电成分，采用Cu、CuSb固溶体，在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得，在受到电弧作用时，能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散，抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂，减轻W粒子的飞散脱落，减少接点表面的熔化和飞散损伤，并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。
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公开(公告)号：CN1196563C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02106267.6
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供了一种固相线温度和液相线温度在800～900℃范围的Ag焊料。焊接用Ag焊料由1.0～10.0重量%的锡(Sn)、2.5～10重量%的铜(Cu)、其余部分为Ag所形成。这种Ag焊料的固相线温度在800℃以上，液相线温度在900℃以下。根据需要，还可含有6.0重量%以下的锰(Mn)及/或0.1～2.5%的镍(Ni)。
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公开(公告)号：CN1097824C
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN99100918.5
申请日：1999-01-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B1/02
CPC classification number: H01H1/0203 , Y10S428/926 , Y10S428/929 , Y10T428/12014 , Y10T428/1216 , Y10T428/12167 , Y10T428/12458 , Y10T428/12903 , Y10T428/12993
Abstract: 公开了一种触点材料，其中含有平均粒径为0.1～9μm且含量为30～70体积%的TiC、V和VC中至少一种物质组成的耐弧成分，相对于耐弧成分含量为0.005～0.5重量%、换算成球形的直径为0.01～5μm并以非固溶态或非化合态存在的C，以及余量Cu组成的导电成分。
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公开(公告)号：CN1377753A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02106267.6
申请日：2002-03-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供了一种固相线温度和液相线温度在800～900℃范围的Ag焊料。焊接用Ag焊料由1.0～10.0重量%的锡(Sn)、2.5～10重量%的铜(Cu)、其余部分为Ag所形成。这种Ag焊料的固相线温度在800℃以上,液相线温度在900℃以下。根据需要,还可含有6.0重量%以下的锰(Mn)及/或0.1～2.5%的镍(Ni)。
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公开(公告)号：CN100359674C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a，且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1256744C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03153054.0
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , H01H1/02
Abstract: 本发明通过使Cu-W合金或Cu-WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量%的Cu形成的导电性成分相和50～90重量%的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1-T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1-T2)×100%/(T1)]在2.8%以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。
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公开(公告)号：CN1112716C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN98120616.6
申请日：1998-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J21/00
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 本发明是把真空阀的接点坯料制成由Cu等高导电性成分和由Cr构成的粒径在0.1～150μm范围里的颗粒至少占90容积%的耐弧性成分构成，而且使这种接点坯料的900℃时热膨胀率α900和50℃时的热膨胀率α50的差与900℃时的热膨胀率α900的比率[(α900-α50)×100/(α900)]为0.8%以上、12%以下。由此，能抑制经钎焊工序后，在Cr颗粒和Cu基体的界面上沟的生成，能使静耐压特征、接触电阻特性稳定，还能使切断特征稳定。
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公开(公告)号：CN1084034C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN99118067.4
申请日：1999-08-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成，所说的导电成分含量为50～70重量%，其主成分为Cu；所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成，其平均粒径在8μm以下，其含量为30～50重量%；所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%，或者，所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2～2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。
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公开(公告)号：CN100358063C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510056186.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 一种复合触点，它包括第一层和第二层，所述第一层含有Cu-Cr混合物，其中平均粒径为0.1-150微米的Cr粉或粒子，与平均粒径为0.1-150微米的Cu粉或粒子，以这样的比例混合起来：15-60重量%Cr，余量为Cu。所述第二层含有Cu。第一层与第二层彼此结合起来，同时，第一层的Cu从第一层与第二层之间的界面进入第二层20-100微米的范围，第二层的Cu从该界面进入第一层20-100微米范围内。
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公开(公告)号：CN1674180A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056186.3
申请日：2005-03-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 一种复合触点，它包括第一层和第二层，所述第一层含有Cu－Cr混合物，其中平均粒径为0.1－150微米的Cr粉或粒子，与平均粒径为0.1－150微米的Cu粉或粒子，以这样的比例混合起来：15－60重量％Cr，余量为Cu。所述第二层含有Cu。第一层与第二层彼此结合起来，同时，第一层的Cu从第一层与第二层之间的界面进入第二层20－100微米的范围，第二层的Cu从该界面进入第一层20－100微米范围内。
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