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公开(公告)号：CN100359674C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a，且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范围内。
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公开(公告)号：CN1256744C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03153054.0
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , H01H1/02
Abstract: 本发明通过使Cu-W合金或Cu-WC合金的冶金的各条件达到最适化，提供了断路特性和再起弧特性优异的真空断路器。该断路器的触点由含有10～50重量%的Cu形成的导电性成分相和50～90重量%的W(或WC)形成的耐弧性成分的触点材料构成，升温过程中触点材料中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的熔融起始温度T1和在至少1200℃下加热后的冷却过程中的Cu形成的导电性成分相以摄氏测定的凝固起始温度T2之差(T1-T2)值与熔融起始温度T1的比率，即[(T1-T2)×100%/(T1)]在2.8%以下。由此，可兼得断路特性和再起弧特性。
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公开(公告)号：CN1112716C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN98120616.6
申请日：1998-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J21/00
CPC classification number: H01H1/0206
Abstract: 本发明是把真空阀的接点坯料制成由Cu等高导电性成分和由Cr构成的粒径在0.1～150μm范围里的颗粒至少占90容积%的耐弧性成分构成，而且使这种接点坯料的900℃时热膨胀率α900和50℃时的热膨胀率α50的差与900℃时的热膨胀率α900的比率[(α900-α50)×100/(α900)]为0.8%以上、12%以下。由此，能抑制经钎焊工序后，在Cr颗粒和Cu基体的界面上沟的生成，能使静耐压特征、接触电阻特性稳定，还能使切断特征稳定。
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公开(公告)号：CN1084034C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN99118067.4
申请日：1999-08-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成，所说的导电成分含量为50～70重量%，其主成分为Cu；所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成，其平均粒径在8μm以下，其含量为30～50重量%；所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%，或者，所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2～2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。
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公开(公告)号：CN1163926C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00101829.9
申请日：2000-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H33/664 , C23C14/00 , C22C9/00
CPC classification number: H01H1/0203
Abstract: 作为接点，采用{W-CuxSb一余量Cu}合金；作为该合金中的耐电弧成分，采用粒径为0.4～9μm并且含量为65～85%的W或WMo；作为辅助成分，采用粒径为0.02～20μm并且含量为0.09～1.4%的CuxSb，x＝1.9～5.5，平均粒子间距为0.2～300um。另外，作为导电成分，采用Cu、CuSb固溶体，在该CuSb固溶体中存在0.5%以下呈固溶状态的Sb。结果使得，在受到电弧作用时，能够减少由蒸发所引起的CuxSb的飞散，抑制在接点面上产生对再起弧的发生具有不利影响的明显的龟裂，减轻W粒子的飞散脱落，减少接点表面的熔化和飞散损伤，并能同时提高接点的再起弧抑制特性和接触电阻特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1224910A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN98127137.5
申请日：1998-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H33/6644 , H01H33/185
Abstract: 本发明披露了一种用于通断电路的真空断路器的电极结构,包括:一对触头部件,用于通过使触头沿着预定方向彼此相对运动而使触头相互接触和分开;一对导电杆,分别和所述一对触头部件相连,用于对触头部件提供导电通路;以及具有磁本体的磁化装置,用于在触头部件之间产生平行于预定方向的磁场,所述磁本体由铁合金构成,所述铁合金包括按重量计算0.02到1.5%的碳和铁。铁合金还包括至少锰和硅之一。
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公开(公告)号：CN1034891C
公开(公告)日：1997-05-14
申请号：CN92105967.1
申请日：1992-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C1/04 , C22C9/00 , H01H1/0206 , Y10T428/12028
Abstract: 一种真空断路器用的电触头材料及生产这种材料的方法，电触头材料有铜、铬、铋成分，其多相结构为具有铜和铋成分的第一相中插入含有铬成分的第二相，两相之间的界面在合金的断面金相结构图中呈现为基本光滑的界面线，当用界面线上直线距离10μm的任两点确定一段界面线时，这段界面线的长度与直线距离10μm之比在大约1.0至1.4范围内。另外，界面线的形状与圆接近，以致界面线的长度与面积与其相等的理想圆的圆周长度之比在大约1.0至1.3范围内。
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公开(公告)号：CN1034087C
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
Abstract: 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序；将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
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公开(公告)号：CN1003823B
公开(公告)日：1989-04-05
申请号：CN86108695
申请日：1986-12-23
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及气孔少的Cu和(或)Ag-Cr合金的生产方法，更具体地说涉及可减少再起弧发生频率的真空管用接点合金的生产方法。所说的方法包括原料Cr的选择、烧结条件、熔渗条件以及冷却条件的控制。用本发明生产的真空管用的合金不但减少了再起弧发生率，而且缩小了每个真空管之间的发生率的波动。
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公开(公告)号：CN87100389A
公开(公告)日：1987-08-12
申请号：CN87100389
申请日：1987-01-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01H1/02
CPC classification number: C22C1/0475 , H01H1/0206
Abstract: 一种能在真空阀中用作接点的合金材料及其制造方法，该材料由(1)由Cu或/及Ag组成的导电材料和(2)由Cr、Ti及Zr中的至少一种金属、或这些金属和其他金属的合金组成的耐弧材料所组成，其中在导电材料基体中所存在的耐弧材料的量为0.35重量％以下。其制造工序包括形成耐弧材料粉末，将成型体烧结成骨架，在骨架空隙中熔浸导电材料及对经熔浸处理的材料进行冷却，本材料的优点是接触电阻特性或温度上升特性稳定。
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