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公开(公告)号：CN1034891C
公开(公告)日：1997-05-14
申请号：CN92105967.1
申请日：1992-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C1/04 , C22C9/00 , H01H1/0206 , Y10T428/12028
Abstract: 一种真空断路器用的电触头材料及生产这种材料的方法，电触头材料有铜、铬、铋成分，其多相结构为具有铜和铋成分的第一相中插入含有铬成分的第二相，两相之间的界面在合金的断面金相结构图中呈现为基本光滑的界面线，当用界面线上直线距离10μm的任两点确定一段界面线时，这段界面线的长度与直线距离10μm之比在大约1.0至1.4范围内。另外，界面线的形状与圆接近，以致界面线的长度与面积与其相等的理想圆的圆周长度之比在大约1.0至1.3范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1034087C
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
Abstract: 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序；将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
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公开(公告)号：CN1022960C
公开(公告)日：1993-12-01
申请号：CN91111927.2
申请日：1991-11-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203 , H01H1/0233 , H01H33/664
Abstract: 一种用于真空断路器的触头材料包括：(a)从包括Ag，Cu及其结合的一组成分中选出的一种高导电成分，占体积的25%-70%，以及(b)占体积的75%-30%的一种耐弧成分，其中包括由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W及其结合构成的族中选出的一种元素的碳化物。其中上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3至3微米，该耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。构成真空断路器触头的触头材料具有改进的耐磨性，大电流遮断特性，断路特性以及低温升特性。
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公开(公告)号：CN1068597A
公开(公告)日：1993-02-03
申请号：CN92105508.0
申请日：1992-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B22F1/0088 , C22C1/04 , H01H1/0206
Abstract: 一种合金制备方法，合金含有铬组分和基本组分，基本组分含至少一种选自铜和银组成的元素组的元素。该方法包括下列工序：将铬材料与碳材料一起进行热处理；再用热处理工序处理过的铬材料和基本组分的材料制造合金材料。在热处理工序中铬材料与50百万分率至5,000百万分率的碳材料混合，然后在非氧化气氛下加热至800℃至1,400℃温度范围。按照该制造方法，合金材料中氧含量降低到不高于200百万分率。得出的合金材料可用作真空断路器的触头材料。
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公开(公告)号：CN1069142A
公开(公告)日：1993-02-17
申请号：CN92105967.1
申请日：1992-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C22C1/04 , C22C9/00 , H01H1/0206 , Y10T428/12028
Abstract: 一种真空断路器用的电触头材料及生产这种材料的方法，电触头材料有铜、铬、铋成分，其多相结构为具有铜和铋成分的第一相中插入含有铬成分的第二相，两相之间的界面在合金的断面金相结构图中呈现为基本光滑的界面线，当用界面线上直线距离10μm的任两点确定一段界面线时，这段界面线的长度与直线距离10μm之比在大约1.0至1.4范围内。另外，界面线的形状与圆接近，以致界面线的长度与面积与其相等的理想圆的圆周长度之比在大约1.0至1.3范围内。
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公开(公告)号：CN1062811A
公开(公告)日：1992-07-15
申请号：CN91111927.2
申请日：1991-11-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H1/0203 , H01H1/0233 , H01H33/664
Abstract: 一种用于真空断路器的触头材料包括：(a)从包括Ag，Ca及其结合的一组成分中选出的一种高导电成分，占体积的25％—70％，以及(b)占体积的75％—30％的一种耐弧成分，其中包括由Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo，W及其结合构成的族中选出的一种元素的碳化物。其中上述耐弧成分的平均颗粒尺寸为0.3至3微米，该耐弧成分的平均颗粒距离在0.1至1微米的范围内。构成真空断路器触头的触头材料具有改进的耐磨性，大电流遮断特性，断路特性以及低温升特性。
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