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公开(公告)号：CN1256514A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99126109.7
申请日：1999-12-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0256 , H01L23/34 , H01L23/49822 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/48137 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K2201/09145 , Y10S428/901 , Y10T29/49121 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/49165 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种绝缘衬底(1),包括:互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5);以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹,其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。
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公开(公告)号：CN100359674C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a，且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7-80的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1143382C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN99126109.7
申请日：1999-12-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0256 , H01L23/34 , H01L23/49822 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/48137 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K2201/09145 , Y10S428/901 , Y10T29/49121 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/49165 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种绝缘衬底(1)，包括：互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5)；以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹，其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。
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公开(公告)号：CN102227548B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980147485.4
申请日：2009-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: F01D25/007 , C23C28/322 , C23C28/324 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , C23C30/00 , F05D2220/31 , F05D2230/90 , F05D2300/504
Abstract: 蒸汽装置具备：高温构件(1)，一侧的面暴露在高温蒸汽(3)中，另一侧的面被比高温蒸汽(3)温度低的冷却蒸汽(4)冷却；低温构件(2)，配置为隔着冷却蒸汽(4)的流路与高温构件(1)对置，由比高温构件(1)耐热性低的材料形成。具有第一高反射率被膜(6)和第二高反射率被膜(10)中的至少某个高反射率被膜，所述第一高反射率被膜(6)形成在高温构件(1)的暴露在高温蒸汽(3)中的面上，对红外线的反射率高于高温构件(1)；所述第二高反射率被膜(10)形成在低温构件(2)的与高温构件(1)对置的面上，对红外线反射的反射率高于低温构件(2)。
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公开(公告)号：CN102227548A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147485.4
申请日：2009-11-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: F01D25/007 , C23C28/322 , C23C28/324 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , C23C30/00 , F05D2220/31 , F05D2230/90 , F05D2300/504
Abstract: 蒸汽装置具备：高温构件(1)，一侧的面暴露在高温蒸汽(3)中，另一侧的面被比高温蒸汽(3)温度低的冷却蒸汽(4)冷却；低温构件(2)，配置为隔着冷却蒸汽(4)的流路与高温构件(1)对置，由比高温构件(1)耐热性低的材料形成。具有第一高反射率被膜(6)和第二高反射率被膜(10)中的至少某个高反射率被膜，所述第一高反射率被膜(6)形成在高温构件(1)的暴露在高温蒸汽(3)中的面上，对红外线的反射率高于高温构件(1)；所述第二高反射率被膜(10)形成在低温构件(2)的与高温构件(1)对置的面上，对红外线反射的反射率高于低温构件(2)。
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公开(公告)号：CN101614241A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910163983.X
申请日：2009-05-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F16C33/14
Abstract: 一种软合金层形成装置(10)，其包括基体金属支承部件(20)和电弧生成单元(30)，所述支承部件以基体金属(40)的内周的中心轴线(42)为旋转轴线旋转地支承基体金属(40)，所述电弧生成单元可沿所述旋转轴线的轴向移动，并固定在与基体金属(40)的内周面具有预定距离的位置处，所述电弧生成单元在其自身和基体金属(40)之间生成电弧，该电弧生成单元在其自身和基体金属(40)之间生成电弧(31)。在旋转基体金属(40)并将电弧生成单元(30)和基体金属(40)内周面(41)之间的距离保持恒定的同时，软合金构件(50)被电弧生成单元(30)熔化，以在基体金属(40)的内周面(41)上形成软合金层(15)。本发明还涉及一种软合金层形成方法。
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公开(公告)号：CN1253377A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a,且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7—80的范围内。
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