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公开(公告)号：CN103003920A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035289.5
申请日：2011-09-26
IPC: H01L21/205 , C04B35/581 , C23C16/34
CPC classification number: H01L29/2003 , C04B35/581 , C04B41/009 , C04B41/5062 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2111/00844 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C23C16/303 , H01L21/02107 , H01L21/02389 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。
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公开(公告)号：CN1143382C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN99126109.7
申请日：1999-12-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0256 , H01L23/34 , H01L23/49822 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/48137 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K2201/09145 , Y10S428/901 , Y10T29/49121 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/49165 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种绝缘衬底(1)，包括：互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5)；以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹，其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。
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公开(公告)号：CN103717552B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280037799.0
申请日：2012-07-26
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/06 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , F27B9/243 , H01L21/4871 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/202 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。
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公开(公告)号：CN1256514A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99126109.7
申请日：1999-12-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K1/0256 , H01L23/34 , H01L23/49822 , H01L23/562 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/48137 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K2201/09145 , Y10S428/901 , Y10T29/49121 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/49165 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 一种绝缘衬底(1),包括:互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5);以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹,其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。
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公开(公告)号：CN103503130B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280019672.6
申请日：2012-07-13
IPC: H01L23/15 , C04B35/111 , C04B37/02
CPC classification number: C04B35/111 , C04B35/638 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/59 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C04B38/0054
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001～0.1质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为12μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1500以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503130A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280019672.6
申请日：2012-07-13
IPC: H01L23/15 , C04B35/111 , C04B37/02
CPC classification number: C04B35/111 , C04B35/638 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/59 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C04B38/0054
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001～0.1质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为12μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1500以上。
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公开(公告)号：CN1139117C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN96190008.3
申请日：1996-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/5935 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L22/12 , H01L23/15 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。
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公开(公告)号：CN1145693A
公开(公告)日：1997-03-19
申请号：CN96190008.3
申请日：1996-03-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/3735 , C04B35/5935 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/122 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/70 , H01L22/12 , H01L23/15 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。
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公开(公告)号：CN103003920B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201180035289.5
申请日：2011-09-26
IPC: H01L21/205 , C04B35/581 , C23C16/34
CPC classification number: H01L29/2003 , C04B35/581 , C04B41/009 , C04B41/5062 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2111/00844 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C23C16/303 , H01L21/02107 , H01L21/02389 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。
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公开(公告)号：CN103492345B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280019369.6
申请日：2012-07-13
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , C04B37/02 , H05K3/46
CPC classification number: C04B35/111 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B38/00 , C04B2111/00844 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/06 , C04B2237/125 , C04B2237/126 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/52 , C04B2237/54 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , H05K1/0306 , H05K3/38 , C04B38/0054
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。
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