公开(公告)号：CN107473774A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710840957.0

申请日：2017-09-18

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 崔成强 ,  赖韬 ,  杨斌 ,  张昱

IPC: C04B41/88 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H05K3/38

CPC classification number: C04B41/88 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5127 ,  C04B2111/00008 ,  C04B2111/00844 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0011 ,  H05K3/38 ,  C04B35/10 ,  C04B35/581 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/0054

Abstract: 本发明提供了一种铜-陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：将纳米铜粉、纳米二氧化硅与有机溶剂混合，得到纳米铜膏；将所述纳米铜膏涂覆于陶瓷基板表面，再进行烧结，最后依次进行光刻、显影、电镀和蚀刻，得到铜-陶瓷基板。本申请制备铜-陶瓷基板的过程中，由于纳米铜粉、纳米二氧化硅的纳米尺寸效应与其中的纳米SiO2可与陶瓷基板中的三氧化二铝、氮化铝反应，从而可在较低的烧结温度下实现铜-陶瓷间的高强度键合。

公开(公告)号：CN107108360A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069169.5

申请日：2015-12-04

Applicant: 法孚斯索里斯公司

Inventor： 萨利马·贝尔巴奇 ,  金-弗朗索斯·安德雷 ,  克里斯托菲·鲍切 ,  奥利维厄·菲力克斯 ,  克里斯汀·冈扎莱兹 ,  安德雷·皮农塞利 ,  伯特兰德·索姆纳德

IPC: C04B26/26 ,  C25C3/12

CPC classification number: C25C3/125 ,  B01D3/14 ,  B01F3/12 ,  B01F13/10 ,  B01F2013/1052 ,  C04B18/02 ,  C04B26/26 ,  C04B2111/00844 ,  C04B20/0096 ,  C04B24/36

Abstract: 根据本发明的方法提出，以电极生产(6)所需数量，混合固态干燥颗粒状混合物和液态沥青粘合剂，固态干燥颗粒状混合物是两部分成分的混合物，其中一部分是所谓的粗粒部分(1a,2a)，包括集料，另一部分是亚毫米细粒(1b,2b)部分，混合至少包括两个连续混合步骤，其中一个是所谓的集料‑预浸步骤(102a)，包括将颗粒状混合物粗粒部分(2a)和沥青粘合剂部分(3a)混合，数量至少足够涂布集料并且至少部分填充集料孔隙，随后实施第二个所谓遮盖混合步骤(102b)，包括将来自第一个混合步骤(102a)的沥青粘合剂的预浸渍粗粒部分(4a)与电极生产(6)所需的沥青粘合剂的剩余部分(3b)和所述颗粒状混合物的细粒部分(2b)混合。本发明方法可通过包含连续或非连续模式的两个混合机步骤的施舍来实施，采用两个混合机或单个混合机，如采用两个混合机，每个混合机分别实施两个混合步骤中的一个混合步骤。

公开(公告)号：CN103003920B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201180035289.5

申请日：2011-09-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 小森田裕 ,  中山宪隆 ,  高浪健太郎

IPC: H01L21/205 ,  C04B35/581 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C04B35/581 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5062 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/0025 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  C04B41/4531

Abstract: 本发明提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。

公开(公告)号：CN103492345B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201280019369.6

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 星野政则 ,  佐藤英树 ,  小森田裕 ,  中山宪隆 ,  那波隆之

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K3/46

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。

公开(公告)号：CN102365733B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080013918.X

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 高桥直人 ,  三锅雄一郎

IPC: H01L23/13 ,  C04B41/88 ,  H01L23/36 ,  H05K1/09

CPC classification number: H05K1/092 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C04B2111/00844 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24612 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4547 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/5133 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造金属化基板的方法，该方法在氮化物陶瓷烧结体基板(10)上涂布规定的金属糊剂组合物，将其在规定的条件、耐热性容器内煅烧，从而制造基板(10)与金属层(30)介由氮化钛层(20)接合而成的金属化基板。

公开(公告)号：CN104411628A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380031662.9

申请日：2013-05-17

Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司

Inventor： H·拉克劳特 ,  M·J·马克斯 ,  L·瓦勒特 ,  D·D·拉萨姆

IPC: C01B31/00 ,  C04B35/52 ,  C04B38/00 ,  C08J5/24 ,  C04B35/524

CPC classification number: F16L59/028 ,  C01B32/00 ,  C01B32/05 ,  C04B35/524 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/63452 ,  C04B38/0032 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2111/00836 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/6562 ,  C08J9/122 ,  C08J9/127 ,  C08J9/141 ,  C08J9/143 ,  C08J9/149 ,  C08J9/32 ,  C08J9/36 ,  C08J2203/06 ,  C08J2203/14 ,  C08J2203/142 ,  C08J2203/182 ,  C08J2363/00 ,  C04B35/52 ,  C04B38/02 ,  C04B38/0615 ,  C04B38/08 ,  C04B38/10

Abstract: 用于制备多孔碳组合物的可固化液态碳前体制剂，所述制剂包含(a)至少一种芳族环氧树脂；(b)(i)至少一种芳族共反应性固化剂，或(b)(ii)至少一种催化固化剂，或(b)(iii)其混合物；和(c)至少一种致孔剂；其中所述液态组合物在添加致孔剂之前、在添加任选的组分之前、在固化之前和在碳化之前，在25℃时具有小于10,000mPa-s的净粘度；并且其中经受固化的液态组合物具有至少35重量％的碳收率，不考虑所述致孔剂和存在于所述组合物中的任何任选组分的重量；从上述制剂制备所述多孔碳组合物的方法，所述方法包括以下步骤：固化所述制剂，和碳化从固化所述制剂产生的所述固化产物，从而产生多孔碳组合物；以及通过上述方法制造的多孔碳组合物。

公开(公告)号：CN103492345A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019369.6

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 星野政则 ,  佐藤英树 ,  小森田裕 ,  中山宪隆 ,  那波隆之

IPC: C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。

公开(公告)号：CN102149655B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200980135909.5

申请日：2009-07-14

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 广津留秀树 ,  塚本秀雄

IPC: C04B41/88 ,  C04B35/52 ,  C22C21/00 ,  C22C26/00 ,  H01L23/373

CPC classification number: C04B41/88 ,  B22D19/00 ,  B22D19/14 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C04B35/52 ,  C04B35/62227 ,  C04B35/6263 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/658 ,  C22C21/00 ,  C22C26/00 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3736 ,  H01L2924/0002 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/5096 ,  C04B38/00 ,  B22F3/11 ,  B22F3/26 ,  B22F3/1003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的铝-金刚石类复合体的制备方法的特征在于，包括如下步骤：准备具有特定的粒径的金刚石粉末的步骤；对所述金刚石粒粉末添加胶态二氧化硅而得到浆料的步骤；通过对所述浆料进行冲压成形或浇铸成形，制备所述金刚石粒子的成形体的步骤；在大气中或氮气气氛下对所述成形体进行烧成，得到多孔金刚石成形体的步骤；加热所述多孔金刚石成形体的步骤；将铝合金加热至熔点以上，使其浸渗至所述多孔金刚石成形体中，制备两面被含有以铝为主要成分的金属的表面层覆盖的平板状的铝-金刚石类成形体的步骤；加工所述铝-金刚石类成形体，从而制备铝-金刚石类复合体的步骤。

公开(公告)号：CN103188896A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110455708.2

申请日：2011-12-30

Applicant: 深圳富泰宏精密工业有限公司

Inventor： 王仁博 ,  关辛午

IPC: H05K5/00 ,  B01J20/20 ,  C04B26/10 ,  C04B14/36

CPC classification number: B01J20/20 ,  B01J20/28004 ,  B01J20/28033 ,  B01J20/3007 ,  B01J20/3042 ,  B01J20/3078 ,  B01J20/3085 ,  C04B26/06 ,  C04B2111/00482 ,  C04B2111/00844 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/1376 ,  C04B14/022 ,  C04B20/008 ,  C04B38/0051 ,  C04B38/085 ,  C04B40/0071 ,  C04B40/0263

Abstract: 本发明提供一种壳体，包括一基材及形成于基材上形的装饰层，该基材由质量百分比为1-6％活性胶粘剂，94-98％活性炭，剩余为有机杂质混合组成。另，本发明还提供所述壳体的制作方法。该壳体能减少细菌且具有较好外观的。

公开(公告)号：CN102365733A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080013918.X

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 高桥直人 ,  三锅雄一郎

IPC: H01L23/13 ,  C04B41/88 ,  H01L23/36 ,  H05K1/09

CPC classification number: H05K1/092 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C04B2111/00844 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24612 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4547 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/5133 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造金属化基板的方法，该方法在氮化物陶瓷烧结体基板(10)上涂布规定的金属糊剂组合物，将其在规定的条件、耐热性容器内煅烧，从而制造基板(10)与金属层(30)介由氮化钛层(20)接合而成的金属化基板。