公开(公告)号：CN1445893A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03120627.1

申请日：2003-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中明 ,  田中宏和 ,  伊藤义行 ,  玄永康一

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明对实折射率波导型半导体激光器，得到高输出功率的半导体激光器。提供一种半导体激光器，其特征在于，具有：第1导电型包层；通过注入电流而放射光的有源层；第1的第2导电型包层；作为脊形波导路的第2的第2导电型包层；带隙比夹着上述第2的第2导电型包层在其两侧形成的上述第1及第2的第2导电型包层大的电流阻挡层；向上述第2的第2导电型包层导入电流时，具有足以防止漏电流流入上述电流阻挡层的迁移率的第3的第2导电型包层。

公开(公告)号：CN1404191A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02132157.4

申请日：2002-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 玄永康一 ,  田中明 ,  伊藤义行 ,  渡边实 ,  奥田肇

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3436 ,  H01S2301/185

Abstract: 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。