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公开(公告)号：CN1433087A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101600.6
申请日：2003-01-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/105 , H01L33/16
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。本发明揭示具备衬底，和由层积在上述衬底上的包含发光层的多层半导体膜构成的，从衬底侧的相反侧的面取出光的多层半导体膜，并且在上述多层半导体膜的光取出部分上，形成具有由(111)面构成的或者由(111)面近旁的面构成的光取出面的图案，在该光取出面上形成凹凸地构成的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN1395321A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02126593.3
申请日：2002-06-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种半导体发光元件，在衬底上形成包括发光层的半导体多层膜，从衬底相反侧的面取出光，在半导体多层膜的光取出面侧表面设置多个锥体状突起物，该突起物的侧面与光取出面的交叉角度α设定为30度以上、70度以下。
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公开(公告)号：CN1229902C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03140660.2
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100364124C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510055949.2
申请日：2002-06-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征在于包括：具有主面的衬底，在上述衬底的主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙化加工使其表面具有多个凹凸形状的反射防止膜，上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。
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公开(公告)号：CN1652367A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510055949.2
申请日：2002-06-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征在于包括：具有主面的衬底，在上述衬底的主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙化加工使其表面具有多个凹凸形状的反射防止膜，上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。
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公开(公告)号：CN1201412C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02126593.3
申请日：2002-06-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征是具有：具有主面的衬底，以及在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，且进行粗糙面加工，使上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面具有多个凹凸形状，该粗糙面加工后的面上的各凹凸的顶部与底部的距离即凹凸高度设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下，上述由粗糙面加工得到的凹凸是周期性地形成的，在上述发光波长为λ时，凹凸的周期为0.5λ以下。
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公开(公告)号：CN1467891A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03140660.2
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。
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