半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1229902C

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN03140660.2

    申请日:2003-06-02

    CPC classification number: B82Y20/00 H01S5/22 H01S5/2214 H01S5/223 H01S5/34326

    Abstract: 一种半导体激光器包括:衬底;形成在衬底上的双异质结构,双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层,第二覆盖层的上表面上具有条形突起,突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部;以及除了突起的上表面,从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。

    半导体发光元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1201412C

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN02126593.3

    申请日:2002-06-25

    CPC classification number: H01L33/44 H01L33/20 H01L33/22 H01L33/38

    Abstract: 一种面发光型半导体发光元件,其特征是具有:具有主面的衬底,以及在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜,且进行粗糙面加工,使上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面具有多个凹凸形状,该粗糙面加工后的面上的各凹凸的顶部与底部的距离即凹凸高度设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下,上述由粗糙面加工得到的凹凸是周期性地形成的,在上述发光波长为λ时,凹凸的周期为0.5λ以下。

    半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1467891A

    公开(公告)日:2004-01-14

    申请号:CN03140660.2

    申请日:2003-06-02

    CPC classification number: B82Y20/00 H01S5/22 H01S5/2214 H01S5/223 H01S5/34326

    Abstract: 一种半导体激光器包括:衬底;形成在衬底上的双异质结构,双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层,第二覆盖层的上表面上具有条形突起,突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部;以及除了突起的上表面,从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。

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