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公开(公告)号：CN115084326A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
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公开(公告)号：CN115084326B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110965770.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
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公开(公告)号：CN112447888A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010145989.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种降低晶片面内的光输出的变动的光半导体元件。实施方式的光半导体元件具有基板、发光层、和分布布拉格反射器。发光层具有AlGaAs多量子阱层。分布布拉格反射器设置在基板与发光层之间，周期性地层叠了第1层与第2层的对。第1层包含AlxGa1－xAs，第2层包含Inz(AlyGa1－y)1－zP。第1层的折射率n1比第2层的折射率n2高。以所述分布布拉格反射器的反射率的波长分布中的频带的中心波长为λ0，第1层具有比λ0/(4n1)大的厚度。第2层具有比λ0/(4n2)小的厚度。
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