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公开(公告)号：CN120035166A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410895885.X
申请日：2024-07-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括沿着第1方向延伸的第1~第3电极以及半导体部件。半导体部件包括：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N（0≤x1
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公开(公告)号：CN104064598A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310737010.9
申请日：2013-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66431 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成的栅电极；在氮化物半导体层上形成的源电极；在氮化物半导体层上相对于栅电极而与源电极相反的一侧形成的漏电极；在漏电极与栅电极之间的氮化物半导体层上形成的第一氮化硅膜；以及形成在氮化物半导体层与栅电极之间、硅对氮的原子比低于上述第一氮化硅膜的第二氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN117476759A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310153268.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/20 , H01L29/10 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供半导体装置。提供能够提升特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极以及第1～第3氮化物区域。第1氮化物区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN109119471A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810160330.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
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公开(公告)号：CN118507509A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311054496.6
申请日：2023-08-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1氮化物区域及第1绝缘构件。第1氮化物区域的第1氮化物部分沿着第2方向的第1氮化物部分厚度比第1氮化物区域的第2氮化物部分沿着第1方向的第2氮化物部分厚度厚。第2半导体区域的第1半导体部分沿着第2方向的第1半导体部分厚度比第1氮化物部分厚度厚。
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公开(公告)号：CN115458580A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210104231.1
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供半导体装置。能够使特性稳定化。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1导电部件以及绝缘部件。第3电极的第1方向上的位置处于第1电极的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。绝缘部件包括第1氮化物区域以及第2氮化物区域。第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比。第1氮化物区域包括第1氮化物端部。第1氮化物端部与第2半导体区域相接，在第1方向上与第2氮化物区域对置。第1氮化物端部的第1方向上的位置处于第1导电端部的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。
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公开(公告)号：CN109119471B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810160330.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
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公开(公告)号：CN1921148A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610115100.4
申请日：2006-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/02
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/42316
Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。
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公开(公告)号：CN119521712A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410175641.4
申请日：2024-02-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体部件、第2半导体部件、第1化合物部件以及第1绝缘部件。第1半导体部件包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)。第2半导体部件包含Alx2Ga1‑x2N(0＜x2≤1、x1＜x2)。第1化合物部件包含Alz1Ga1‑z1N(0＜z1≤1、x2＜z1)。第1化合物部件的第3区域包含晶体。第1绝缘部件的第1绝缘部分的至少一部分以及第1绝缘部件的第2绝缘部分的至少一部分为非晶质。
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