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公开(公告)号：CN110277448B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810946471.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 实施方式提供一种抑制了在恢复动作时产生破坏的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上；多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域；多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个栅极电极的周围；第1区域，是处于上述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的形成有第1导电型的源极区域的区域；第2区域，在上述多个区域中，位于上述第1区域的末端区域，未形成有上述源极区域；第1宽度的第1接触部，形成于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电连接；以及比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上述源极电极电连接。
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公开(公告)号：CN111697065A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910603679.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明的实施方式提供一种高性能的半导体装置。一实施方式的半导体装置包含半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、以及第5电极。半导体层具有沿着包含第1轴与第2轴在内的面的第1面。第1电极以及第2电极沿第1轴延伸。第3电极以及第4电极沿第2轴延伸。第5电极位于第1面的上方的第1层中，与第1电极以及第3电极电连接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分。第1部分相交于第1电极以及第2电极。第2部分相交于第1电极以及第2电极，并且在第1端从第1部分独立。第3部分相交于第3电极以及第4电极。第4部分相交于第3电极以及第4电极，并且在第1端从第3部分独立。
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公开(公告)号：CN106206707B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510296856.2
申请日：2015-06-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/205
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在第2半导体层上，电阻比第2半导体层大；第4半导体层，设置在第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在第4半导体层上，包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN106206708A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510297232.2
申请日：2015-06-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/12
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L27/0688 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置(1)包括：第1半导体层(11)，设置在基板上；第2半导体层p型杂质的氮化物半导体；第3半导体层(13)，设置在第2半导体层(12)上，包含非掺杂的氮化物半导体；第4半导体层(15)，设置在第3半导体层(13)上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层(16)，设置在第4半导体层(15)上，包含带隙比第4半导体层(15)大的氮化物半导体。(12)，设置在第1半导体层(11)上，包含掺杂有
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公开(公告)号：CN115810662A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111611306.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极以及控制电极。所述半导体部设置于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一导电型的第一层以及第三层、以及第二导电型的第二层、第四层以及第五层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设置于所述第二层与所述第二电极之间，所述第四层设置于所述第一层与所述第一电极之间。所述半导体部具有包含所述控制电极、所述第二层及所述第三层的有源区域和包围所述有源区域的终端区域。所述5层在所述终端区域中设置于所述第一半导体层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180514A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910593769.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的半导体基板；设置于半导体基板内并具有设置于第1面的栅极绝缘膜的半导体元件；设置于第1面之上的第1电极；设置于第1电极之上、包含第1金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm－3])/(第1金属材料的密度[g·cm－3])以上的第2电极；设置于第2电极之上的第1焊料部；设置于第1焊料部之上的第3电极；设置于第1面之上的第4电极；设置于第4电极之上、包含第2金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm－3])/(第2金属材料的密度[g·cm－3])以上的第5电极；设置于第5电极之上的第2焊料部；以及设置于第2焊料部之上的第6电极。
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公开(公告)号：CN110277448A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810946471.X
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 实施方式提供一种抑制了在恢复动作时产生破坏的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的基底区域，形成在上述第1半导体区域之上；多个栅极电极，贯通上述基底区域而到达上述第1半导体区域；多个栅极绝缘膜，形成于上述多个栅极电极的每个栅极电极的周围；第1区域，是处于上述多个栅极绝缘膜之间的多个区域中的形成有第1导电型的源极区域的区域；第2区域，在上述多个区域中，位于上述第1区域的末端区域，未形成有上述源极区域；第1宽度的第1接触部，形成于上述第1区域，将上述基底区域与源极电极电连接；以及比上述第1宽度宽的第2宽度的第2接触部，形成于上述第2区域，将上述基底区域与上述源极电极电连接。
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公开(公告)号：CN111180514B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201910593769.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417
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公开(公告)号：CN115810660A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210139926.3
申请日：2022-02-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，能够扩大有效的元件面积，具备：第2电极，设置在半导体部内，沿第1方向延伸；第3电极，设置在半导体部内，沿第1方向延伸，包括：第1部分及第2部分，第2电极在第1方向上配置在第1部分与第2部分之间；以及第1中间部，在第1部分与第2部分之间位于第2电极的下方；第4电极，设置在半导体部的上方，包括：焊盘部，在与第1方向交叉的第2方向上与第2电极以及第2部分分离；以及凸部，从焊盘部突出而覆盖第2电极，并与第2电极连接；以及第5电极，设置在半导体部的上方，包括：第1覆盖部，覆盖半导体部中与第2部分邻接的第1接触部，并与第1接触部连接；以及第2覆盖部，覆盖第1部分并与第1部分连接。
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公开(公告)号：CN115117168A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110861191.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 大麻浩平
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/263
Abstract: 实施方式主要提供一种既能提高内置二极管的反向恢复特性、可靠性又高的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置具备：上部电极；下部电极；衬底，位于所述上部电极和所述下部电极之间；埋入电极部，位于所述衬底和所述上部电极之间，具有栅极电极；以及硅层，位于所述衬底和所述上部电极之间，具有与所述埋入电极部邻接的台面部、位于所述台面部和所述衬底之间的第一区域、以及位于所述埋入电极部和所述衬底之间的第二区域，所述第一区域的能级密度高于所述第二区域的能级密度。
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