公开(公告)号：CN117476759A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310153268.8

申请日：2023-02-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  新留彩 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供半导体装置。提供能够提升特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极以及第1～第3氮化物区域。第1氮化物区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN119521713A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410199811.2

申请日：2024-02-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 梶原瑛祐 ,  大野浩志

IPC: H10D30/60

Abstract: 提供特性能够提高的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括沿着第1方向延伸的第1～第3电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第1绝缘构件及第2绝缘构件。第1半导体构件含有Alx1Ga1－x1N(0≤x1＜1)。第2半导体构件含有Alx2Ga1－x2N(0＜x2≤1，x1＜x2)。第2绝缘构件的第1绝缘区域在第1方向上处于第3电极与第2半导体构件的第3半导体部分之间。

公开(公告)号：CN111697053B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201911177913.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤大望 ,  梶原瑛祐 ,  向井章 ,  新留彩 ,  大野浩志 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN120035166A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410895885.X

申请日：2024-07-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 新留彩 ,  梶原瑛祐 ,  藏口雅彦 ,  大野浩志

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D62/824 ,  H10D62/85 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括沿着第1方向延伸的第1~第3电极以及半导体部件。半导体部件包括：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N（0≤x1

公开(公告)号：CN111697053A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201911177913.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤大望 ,  梶原瑛祐 ,  向井章 ,  新留彩 ,  大野浩志 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1-x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN118507509A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311054496.6

申请日：2023-08-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 梶原瑛祐 ,  岛田美代子 ,  南川贤人 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1氮化物区域及第1绝缘构件。第1氮化物区域的第1氮化物部分沿着第2方向的第1氮化物部分厚度比第1氮化物区域的第2氮化物部分沿着第1方向的第2氮化物部分厚度厚。第2半导体区域的第1半导体部分沿着第2方向的第1半导体部分厚度比第1氮化物部分厚度厚。

公开(公告)号：CN115458580A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202210104231.1

申请日：2022-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新留彩 ,  梶原瑛祐 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供半导体装置。能够使特性稳定化。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1导电部件以及绝缘部件。第3电极的第1方向上的位置处于第1电极的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。绝缘部件包括第1氮化物区域以及第2氮化物区域。第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比。第1氮化物区域包括第1氮化物端部。第1氮化物端部与第2半导体区域相接，在第1方向上与第2氮化物区域对置。第1氮化物端部的第1方向上的位置处于第1导电端部的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。

公开(公告)号：CN119008657A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410160038.9

申请日：2024-02-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田岛纯平 ,  黄博勤 ,  新留彩 ,  梶原瑛祐 ,  彦坂年辉 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN116264252A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210896190.4

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  新留彩 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/43

Abstract: 提供可得到稳定的特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、第1、第2半导体区域和第1构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N，0≤x1

公开(公告)号：CN114864684A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110946289.6

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1