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公开(公告)号：CN116779668A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210902723.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体和半导体装置。提供能够提高特性的氮化物半导体和半导体装置。根据实施方式，氮化物半导体的氮化物部件含有：包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN116053320A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210896266.3
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种可提高特性的氮化物半导体、半导体装置及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包含：含硼的基体、含Alx1Ga1‑x1N(0.98＜x1≤1)的第1氮化物区域、和含Alx2Ga1‑x2N(0≤x2＜1、x2＜x1)的第2氮化物区域。所述基体中的硼的浓度为1×1019cm‑3以上。所述第1氮化物区域位于所述基体与所述第2氮化物区域之间。所述第1氮化物区域包含与所述基体相对的第1面和与所述第2氮化物区域相对的第2面。所述第2面中的硼的第2浓度为所述第1面中的硼的第1浓度的1/8000以下。
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公开(公告)号：CN119008665A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410200862.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本申请提供能够提高特性的晶片和半导体装置。根据实施方式，晶片包含硅基板、第1层和多个结构体。所述第1层包含铝和氮。所述多个结构体在从所述硅基板向所述第1层的第1方向上设置在所述硅基板的一部分与所述第1层的一部分之间。所述多个结构体包含：包含选自Ni、Cu、Cr、Mn、Fe和Co中的至少一个的第1元素、和硅。所述第1层的另一部分与所述硅基板的另一部分相接。
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公开(公告)号：CN119008657A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410160038.9
申请日：2024-02-05
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN117894828A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311006796.7
申请日：2023-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 提供能够提高特性的半导体构造体以及半导体装置。根据实施方式，半导体构造体包括：基板，包含硅晶体；第1层，包含AlN晶体；以及中间区域，设置于所述硅晶体与所述AlN晶体之间，包含Al以及氮。从所述硅晶体向所述AlN晶体的方向沿着第1方向。所述中间区域中的Al原子的晶格的所述第1方向上的第3晶面间距比所述硅晶体的所述第1方向上的第1晶面间距长、且比所述AlN晶体的所述第1方向上的第2晶面间距长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119767759A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410725329.8
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括：基体、氮化物部件、以及含Ga和N的半导体部件。氮化物部件在第1方向上设置在基体和半导体部件之间。氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和第3氮化物区域。第1氮化物区域设置在基体和第3氮化物区域之间。第2氮化物区域设置在第1氮化物区域和第3氮化物区域之间。第1氮化物区域包含AlN。第2氮化物区域包含Alx2Ga1‑x2N(0
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公开(公告)号：CN115706142A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210096948.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供能够提高质量的氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包括基体和氮化物构件。氮化物构件包括：第一氮化物区域，包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN119997575A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410725356.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/854 , H10D30/47
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Alz2Ga1‑z2N(0≤z2
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公开(公告)号：CN116314251A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210897073.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种可提高生产率的晶片、半导体装置及晶片的制造方法。根据实施方式，晶片包含具有第1面的硅基板和设在第1面上的氮化物半导体层。所述硅基板包含在晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域。所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域。所述多个第1区域中的一个包含沿着第1线方向的多个第1线状体。所述多个第1区域中的另一个包含沿着第2线方向的多个第2线状体。所述第2线方向与所述第1线方向交叉。
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公开(公告)号：CN115706143A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210097012.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335 , C23C16/30
Abstract: 提供一种氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法，能够抑制翘曲。根据实施方式，氮化物半导体包括基体、氮化物部件以及设置于所述基体与所述氮化物部件之间的中间区域。所述氮化物部件包括：含有Alx1Ga1‑x1N的第1氮化物区域，其中，0
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