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发明公开
半导体装置及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN119008657A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410160038.9

申请日：2024-02-05

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田岛纯平 , 黄博勤 , 新留彩 , 梶原瑛祐 , 彦坂年辉 , 藏口雅彦

IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1、第2半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

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