公开(公告)号：CN118507509A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311054496.6

申请日：2023-08-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 梶原瑛祐 ,  岛田美代子 ,  南川贤人 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1氮化物区域及第1绝缘构件。第1氮化物区域的第1氮化物部分沿着第2方向的第1氮化物部分厚度比第1氮化物区域的第2氮化物部分沿着第1方向的第2氮化物部分厚度厚。第2半导体区域的第1半导体部分沿着第2方向的第1半导体部分厚度比第1氮化物部分厚度厚。