公开(公告)号：CN117728655A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211642084.X

申请日：2022-12-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉川典朗 ,  栗山保彦 ,  吉冈启 ,  小林仁 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  大野哲也 ,  关口秀树 ,  小野村正明

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一晶体管、包含第二晶体管的第一驱动电路、及包含第三晶体管的第二驱动电路。第二晶体管以及第三晶体管以串联的方式连接，其连接节点连接于第一晶体管的栅极电极。所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管是形成于包含GaN的第一基板的常关型的MOS型的HEMT。所述第一驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行充电。所述第二驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行放电。