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公开(公告)号：CN100499190C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925181A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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公开(公告)号：CN1848452A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610074303.3
申请日：2006-04-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/207 , H01L29/737 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/34
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L33/025 , H01L33/305 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的、掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少而氢浓度增大的区域，在所述区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。
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公开(公告)号：CN100485955C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610074303.3
申请日：2006-04-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/207 , H01L29/737 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/34
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L33/025 , H01L33/305 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的、掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少而氢浓度增大的区域，在所述区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。
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公开(公告)号：CN100449800C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200510097748.9
申请日：2005-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/30 , H01S5/343
CPC classification number: H01L33/32 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III-V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。
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公开(公告)号：CN1741296A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510097748.9
申请日：2005-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/30 , H01S5/343
CPC classification number: H01L33/32 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的半导体衬底包括GaN衬底和在GaN衬底上外延生长的由III－V族氮化物化合物半导体构成的单晶层。所述GaN衬底具有由位于0.12度至0.35度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值和位于0.00度至0.06度范围内的从{0001}面向 方向的表面倾角绝对值来确定的表面取向。
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