公开(公告)号：CN101101951A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710128603.X

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  布上真也 ,  齐藤真司 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。

公开(公告)号：CN100557834C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710128603.X

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  布上真也 ,  齐藤真司 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。