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公开(公告)号：CN103296172A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310157655.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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公开(公告)号：CN102194986A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275105.X
申请日：2010-09-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/11 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
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公开(公告)号：CN102326265B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200980157138.X
申请日：2009-11-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光器件包括：多层结构(1s)，其包括第一半导体层(1)、第二半导体层(2)以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层(3)；第一电极(7)；第二电极(4o)；第三电极(4s)；以及第四电极(4p)。所述第一电极被电连接到所述第一半导体层。所述第二电极与所述第二半导体层形成欧姆接触且透射从所述发光层发射的光。所述第三电极贯穿所述第二电极并电连接到所述第二电极以与所述第二半导体层形成肖特基接触。所述第四电极被形成在所述第三电极的与所述第二半导体层相反的一侧上，并且沿所述多层结构的层叠方向观察时所述第四电极的形状与沿所述层叠方向观察时所述第三电极的形状相同。从而，提供了在提高电流注入效率的同时改善光提取效率的半导体发光器件。还公开了半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法。
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公开(公告)号：CN102326265A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157138.X
申请日：2009-11-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光器件包括：多层结构(1s)，其包括第一半导体层(1)、第二半导体层(2)以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层(3)；第一电极(7)；第二电极(4o)；第三电极(4s)；以及第四电极(4p)。所述第一电极被电连接到所述第一半导体层。所述第二电极与所述第二半导体层形成欧姆接触且透射从所述发光层发射的光。所述第三电极贯穿所述第二电极并电连接到所述第二电极以与所述第二半导体层形成肖特基接触。所述第四电极被形成在所述第三电极的与所述第二半导体层相反的一侧上，并且沿所述多层结构的层叠方向观察时所述第四电极的形状与沿所述层叠方向观察时所述第三电极的形状相同。从而，提供了在提高电流注入效率的同时改善光提取效率的半导体发光器件。还公开了半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法。
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公开(公告)号：CN102194953A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010274410.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1989630A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
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公开(公告)号：CN102668138B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN200980163090.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。
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公开(公告)号：CN102194986B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010275105.X
申请日：2010-09-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/11 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
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公开(公告)号：CN102668138A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980163090.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。
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公开(公告)号：CN100459196C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
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