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公开(公告)号：CN114078960A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110053974.6
申请日：2021-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 实施方式提供一种高耐压以及低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；所述半导体部的背面上的第一电极；表面上的第二电极；设于所述半导体部的表面侧的第一沟槽的内部的第三电极；位于所述第二电极与所述第三电极之间的控制电极；设于与所述第一沟槽并列的第二沟槽的内部的第2第三电极；以及设于与所述第一及所述第二沟槽并列的第三沟槽的内部的第3第三电极。所述第一沟槽及所述第二沟槽在与沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上的各自的端部相连的连接部中彼此相连，所述第三电极及所述第2第三电极以在所述连接部中彼此相连的方式设置。所述第3第三电极沿所述第一方向延伸，比所述第一沟槽及所述第二沟槽各自的所述端部延伸得更长。
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公开(公告)号：CN102194986B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010275105.X
申请日：2010-09-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/11 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
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公开(公告)号：CN114078960B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110053974.6
申请日：2021-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 实施方式提供一种高耐压以及低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；所述半导体部的背面上的第一电极；表面上的第二电极；设于所述半导体部的表面侧的第一沟槽的内部的第三电极；位于所述第二电极与所述第三电极之间的控制电极；设于与所述第一沟槽并列的第二沟槽的内部的第2第三电极；以及设于与所述第一及所述第二沟槽并列的第三沟槽的内部的第3第三电极。所述第一沟槽及所述第二沟槽在与沿着所述半导体部的所述表面的第一方向上的各自的端部相连的连接部中彼此相连，所述第三电极及所述第2第三电极以在所述连接部中彼此相连的方式设置。所述第3第三电极沿所述第一方向延伸，比所述第一沟槽及所述第二沟槽各自的所述端部延伸得更长。
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公开(公告)号：CN111697069B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910739299.5
申请日：2019-08-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 有关实施方式的半导体装置具有第1电极、半导体层、第2电极、第3电极、半绝缘层和第1绝缘层。半导体层设于第1电极之上。半导体层具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域。第2半导体区域设于第1半导体区域之上，第3半导体区域设于第2半导体区域的周围。第4半导体区域设于第3半导体区域的周围。第2电极具有被设于第2半导体区域之上的第1电极部分和被设于第1电极部分的周围的第2电极部分。第3电极设于第2电极的周围，与第4半导体区域电连接。半绝缘层与第2电极及第3电极电连接。第1绝缘层的第1下表面的第1端部位于第3半导体区域之上。
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公开(公告)号：CN111697069A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910739299.5
申请日：2019-08-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 有关实施方式的半导体装置具有第1电极、半导体层、第2电极、第3电极、半绝缘层和第1绝缘层。半导体层设于第1电极之上。半导体层具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域。第2半导体区域设于第1半导体区域之上，第3半导体区域设于第2半导体区域的周围。第4半导体区域设于第3半导体区域的周围。第2电极具有被设于第2半导体区域之上的第1电极部分和被设于第1电极部分的周围的第2电极部分。第3电极设于第2电极的周围，与第4半导体区域电连接。半绝缘层与第2电极及第3电极电连接。第1绝缘层的第1下表面的第1端部位于第3半导体区域之上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171471A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110093260.8
申请日：2021-01-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/34 , H01L29/739 , G01K7/01
Abstract: 实施方式提供一种适当地配置了温度传感器的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；设于所述半导体部的背面上的第一电极；设于所述半导体部的表面侧且相互分离的多个第二电极；设于所述半导体部与所述多个第二电极的各个之间的控制电极；覆盖所述半导体部的所述表面侧并具有使所述多个第二电极露出的多个开口的树脂层；以及设于所述半导体部与所述树脂层之间并位于所述半导体部的所述表面的中央的传感器元件。所述树脂层的所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角。所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。
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公开(公告)号：CN105990190A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510553387.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45572 , C23C16/303 , C23C16/45565 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67011
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了温度分布的不均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：盖部；气体导入部，设置在所述盖部；以及簇射板，通过与所述盖部的接合而形成能够收容从所述气体导入部所导入的气体的空间，且具有底部及包围所述底部的外框部，且在所述底部设置有多个喷射口、第1冷却路径及第2冷却路径，所述多个喷射口喷射所述气体，所述第1冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于所述底部的中心部，所述第2冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于包围所述中心部的所述底部的外周部且与所述第1冷却路径不连接。
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公开(公告)号：CN103165787A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210535484.0
申请日：2012-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/44
Abstract: 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。
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公开(公告)号：CN103165778A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210525705.6
申请日：2012-12-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/24
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。所述方法可以包括将结构体的堆叠主体接合到衬底主体。所述结构体包括生长衬底和设置在所述生长衬底上的所述堆叠主体。所述堆叠主体包括第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二氮化物半导体膜。所述方法可以包括去除所述生长衬底。所述方法可以包括形成多个堆叠体。所述方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成凹凸部。所述方法可以包括形成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN102194986A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275105.X
申请日：2010-09-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/11 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
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