公开(公告)号：CN106531676A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610066391.6

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松田拓也 ,  矢部一生 ,  寺田贵洋 ,  守屋展行 ,  羽生秀则

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及一种晶片架及半导体制造装置。本实施方式的晶片架具备晶片支撑部。晶片支撑部设置在晶片的搭载区域的端部。第1部分设置在比晶片支撑部更靠搭载区域的中心部侧。以搭载区域外侧的晶片架的表面为基准，第1部分的第1深度比晶片支撑部的第2深度及位于比第1部分更靠搭载区域的中心部侧的第3部分的第3深度深。第2部分设置在比晶片支撑部更靠搭载区域的中心部侧。以搭载区域外侧的晶片架的表面为基准，第2部分的第4深度比第2及第3深度浅且比第1深度浅。

公开(公告)号：CN105990190A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553387.8

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田佳幸 ,  财满康太郎 ,  羽生秀则 ,  片冈敬

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45572 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了温度分布的不均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：盖部；气体导入部，设置在所述盖部；以及簇射板，通过与所述盖部的接合而形成能够收容从所述气体导入部所导入的气体的空间，且具有底部及包围所述底部的外框部，且在所述底部设置有多个喷射口、第1冷却路径及第2冷却路径，所述多个喷射口喷射所述气体，所述第1冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于所述底部的中心部，所述第2冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于包围所述中心部的所述底部的外周部且与所述第1冷却路径不连接。