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公开(公告)号：CN107196188B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610767059.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/2228 , H01S2301/145
Abstract: 面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。
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公开(公告)号：CN107800040B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710777263.7
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
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公开(公告)号：CN107196188A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610767059.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/2228 , H01S2301/145 , H01S5/3401
Abstract: 面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701964A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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公开(公告)号：CN107800040A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710777263.7
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
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公开(公告)号：CN108701964B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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公开(公告)号：CN108701963B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201680083224.0
申请日：2016-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。
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公开(公告)号：CN108701963A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083224.0
申请日：2016-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。
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