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公开(公告)号：CN103367480B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN103367480A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN103426965B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310359308.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电池的制作方法。与传统电池相比，本发明集成了GaInAs基电池膜层与AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层，键合后形成的五结高效低成本叠层太阳电池结构跟太阳光谱匹配得更好，从而提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103426965A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310359308.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池，包括衬底、形成于衬底表面的GaInAs基电池膜层以及与GaInAs基电池膜层键合的AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层。本发明还公开了一种太阳能电池的制作方法。与传统电池相比，本发明集成了GaInAs基电池膜层与AlGaInP/(Al)GaInP/GaInNAs(Sb)/GaInNAs(Sb)四结电池膜层，键合后形成的五结高效低成本叠层太阳电池结构跟太阳光谱匹配得更好，从而提升电池的转换效率。
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