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公开(公告)号：CN101847826B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102195232B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
摘要： 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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公开(公告)号：CN102856788A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210034734.2
申请日：2010-03-19
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/042 , H01S5/343 , B82Y20/00
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102195232A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
摘要： 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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公开(公告)号：CN101847826A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
申请人： 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN102376316A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110236437.1
申请日：2011-08-15
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/0265 , B82Y20/00 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/127 , G11B2007/00457 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0614 , H01S5/0658 , H01S5/06821 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34306
摘要： 本发明涉及记录装置和光学振荡器装置。记录装置在光学记录介质中记录信息，该记录装置包括：自激振荡半导体激光器，其包括施加偏压的可饱和吸收体部分以及注入增益电流的增益部分，还发射激光以将所述信息记录到所述光学记录介质；基准信号产生单元，其产生主时钟信号，还将与所述主时钟信号同步的注入信号提供给所述自激振荡半导体激光器的所述增益部分；记录信号产生单元，其基于所述主时钟信号产生记录信号，还将所述记录信号提供给所述自激振荡半导体激光器的所述可饱和吸收体部分以作为所述偏压。
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公开(公告)号：CN102201646A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110066921.4
申请日：2011-03-18
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/1263 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0601 , H01S5/06255 , H01S5/0658 , H01S5/22 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及光振荡装置和记录装置。光振荡装置具有自激振荡半导体激光器，该自激振荡半导体激光器具有由GaInN/GaN/AlGaN材料制成的双量子阱分别限制异质结构，并且包括施加有负偏压的可饱和吸收体部和增益电流被注入其中的增益部；光分离单元，从自激振荡半导体激光器分离部分激光束；光感测元件，感测通过光分离单元分离的激光束；以及电流控制电路，基于通过光感测元件感测的激光束的量来控制注入到自激振荡半导体激光器的增益部中的电流。
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公开(公告)号：CN103918143A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054166.0
申请日：2012-11-09
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/141 , B82Y20/00 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/105 , H01S3/106 , H01S3/1062 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/0657 , H01S5/101 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 提供了一种半导体激光设备。该半导体激光设备包括锁模半导体激光装置和外部谐振器，该外部谐振器包括色散补偿系统，其中，该半导体激光设备被配置为生成自调制，将负群速度色散引入外部谐振器中，并用于在外部谐振器之后提供光谱过滤。
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