公开(公告)号：CN101834406B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201010129840.X

申请日：2010-03-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 一仓启慈 ,  仓本大

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063

Abstract: 一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。

公开(公告)号：CN101834406A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010129840.X

申请日：2010-03-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 一仓启慈 ,  仓本大

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063

Abstract: 一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。