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公开(公告)号：CN1614836A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410092250.9
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18338 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S2301/176
Abstract: 本发明通过在晶面指数为(100)面等的普通衬底上制作的表面发光型半导体激光元件中，在台面内部的Al高浓度层部分形成非对称的选择氧化结构，对有源层中心部分施加各向异性的应力，从而提高偏振控制性。
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公开(公告)号：CN1503415A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118604.8
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18313 , H01S5/18308 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/2063 , H01S5/3201 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种表面发光型半导体激光器，通过设置从包含被氧化层(6a)的台面(100)的侧面使所述被氧化层进行氧化而形成的氧化区域(600)，在所述被氧化层的未被氧化部分使电流狭窄，其特征在于：在所述氧化区域和所述未被氧化部分的边界附近设置有包含质子的质子含有区域(15、16)。通过提高所选择的氧化中的氧化长度和电流狭窄(非氧化)区域的尺寸和形状的控制性能，能提高衬底面内的均匀性和再现性，抑制激光特性元件之间的误差，提高产量及其再现性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1156892C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00129284.6
申请日：2000-09-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 江崎瑞仙
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
CPC classification number: G03F1/22
Abstract: 本发明提供曝光掩模及其制造方法以及半导体器件的制造方法。该掩模具有透明基体和形成在透明基体上的透明膜。该透明膜有至少一个在预定掩模部分内形成并有相对较低曝光束透明度的掩模部件。掩模薄膜有时有对于设计位置的位置误差。这主要是因为透明膜的面内应力分布不均匀。透明膜在厚度上部分地减小可使面内应力分布一致。
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公开(公告)号：CN101520527B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910007396.1
申请日：2009-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B2006/12061
Abstract: 一种光波导电路，包括：形成在衬底上的下包层；形成在下包层上以将下包层分隔成第一部分和第二部分的第一光波导；形成在第一部分上的第二光波导，该第二光波导包括指向第一光波导的侧面的梢端部分，该梢端部分以渐缩的方式变窄；以及形成在第二部分上的第三光波导，该第三光波导包括指向第二光波导的梢端部分的梢端部分，该第三光波导的梢端部分以渐缩的方式变窄。
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公开(公告)号：CN1293449A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00129284.6
申请日：2000-09-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 江崎瑞仙
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
CPC classification number: G03F1/22
Abstract: 一种掩模,具有透明基体和形成在透明基体上的透明膜。该透明膜有至少一个在预定掩模部分内形成并有相对较低曝光束透明度的掩模部件。掩模薄膜有时有对于设计位置的位置误差。这主要是因为透明膜的面内应力分布不均匀。透明膜在厚度上部分地减小可使面内应力分布一致。
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公开(公告)号：CN101520527A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910007396.1
申请日：2009-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B2006/12061
Abstract: 一种光波导电路，包括：形成在衬底上的下包层；形成在下包层上以将下包层分隔成第一部分和第二部分的第一光波导；形成在第一部分上的第二光波导，该第二光波导包括指向第一光波导的侧面的梢端部分，该梢端部分以渐缩的方式变窄；以及形成在第二部分上的第三光波导，该第三光波导包括指向第二光波导的梢端部分的梢端部分，该第三光波导的梢端部分以渐缩的方式变窄。
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公开(公告)号：CN1323473C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200310118604.8
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18313 , H01S5/18308 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/2063 , H01S5/3201 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种表面发光型半导体激光器，通过设置从包含被氧化层(6a)的台面(100)的侧面使被氧化层进行氧化而形成的氧化区域(600)，在被氧化层的未被氧化部分使电流狭窄，其特征在于：在氧化区域和未被氧化部分的边界附近设置有包含质子的质子含有区域(15、16)。被氧化层在包围未被氧化部分的位置上具有注入了质子的质子含有区域，质子含有区域设置在从台面的侧面离开的位置上，并且质子含有区域中包含氧化区域和未被氧化部分。通过提高所选择的氧化中的氧化长度和电流狭窄区域的尺寸和形状的控制性能，能提高衬底面内的均匀性和再现性，抑制激光特性元件之间的误差，提高产量及其再现性。
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