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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100508310C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480033348.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。
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公开(公告)号：CN1879270B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200480033359.3
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)。按照本发明，在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，并且在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)。此外在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)。在接触部(9)和导电层(13)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。
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公开(公告)号：CN101023568A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031204.0
申请日：2005-09-20
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： 托尼·阿尔布雷希特 , 斯特凡·吕特根 , 沃尔夫冈·雷耶 , 托马斯·施瓦茨 , 乌尔里希·施特格米尔
CPC classification number: H01S5/02248 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01S3/0815 , H01S3/109 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/4056 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明说明了一种表面发射的半导体激光器装置，具有：至少一个表面发射的半导体激光器(21)，其具有垂直发射器(1)和至少一个泵浦辐射源(2)，它们并排单片地集成到共同的衬底(13)上。此外，半导体激光器装置还具有导热元件(18)，所述导热元件与所述半导体激光器(21)热接触并且具有安装面，所述安装面设置用于安装在支承体(27)上。此外，还说明了一种用于制造这种表面发射的半导体激光器装置的方法。
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公开(公告)号：CN1879270A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033359.3
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)。按照本发明，在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，并且在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)。此外在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)。在接触部(9)和导电层(13)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。
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公开(公告)号：CN1879269A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033348.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。
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