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公开(公告)号：CN100508310C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480033348.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。
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公开(公告)号：CN1879270A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033359.3
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)。按照本发明，在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，并且在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)。此外在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)。在接触部(9)和导电层(13)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。
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公开(公告)号：CN1879269A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033348.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。
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公开(公告)号：CN102203969B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980143428.9
申请日：2009-10-16
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/387 , F21S41/155 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 说明了一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：半导体层序列，其具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一电连接层，其触碰和导电接触半导体层序列。第一电连接层尤其是借助多个接触面(21)触碰并且接触半导体层序列。在该发光二极管芯片的情况下，有目的地通过将接触面的面密度沿着半导体层序列的主延伸平面不均匀分布来设置在半导体层序列中的不均匀的电流密度分布或者电流分布。
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公开(公告)号：CN102203969A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143428.9
申请日：2009-10-16
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/387 , F21S41/155 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 说明了一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：半导体层序列，其具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一电连接层，其触碰和导电接触半导体层序列。第一电连接层尤其是借助多个接触面(21)触碰并且接触半导体层序列。在该发光二极管芯片的情况下，有目的地通过将接触面的面密度沿着半导体层序列的主延伸平面不均匀分布来设置在半导体层序列中的不均匀的电流密度分布或者电流分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165502B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN200980137716.3
申请日：2009-09-01
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： 彼得·布里克 , 迈克尔·资特兹尔斯伯尔格尔 , 斯文·韦伯-拉布西尔伯
IPC: H01L33/60 , H01L25/075 , G08G1/095 , G09F9/33
CPC classification number: H01L33/60 , G09F27/008 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 提出了一种光电子器件(10)，具有：至少一个冷光二极管芯片(1)，其在光电子器件的工作中发射电磁辐射(2)，针对外来辐射(4)的至少一个屏蔽部(3)，所述屏蔽部(3)仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片(1)，其中每个屏蔽部(3)与光电子器件(10)的部件(20，30，40，50)一件式地构建。
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公开(公告)号：CN102165502A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137716.3
申请日：2009-09-01
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor： 彼得·布里克 , 迈克尔·资特兹尔斯伯尔格尔 , 斯文·韦伯-拉布西尔伯
IPC: G08G1/095 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
CPC classification number: H01L33/60 , G09F27/008 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 提出了一种光电子器件(10)，具有：至少一个冷光二极管芯片(1)，其在光电子器件的工作中发射电磁辐射(2)，针对外来辐射(4)的至少一个屏蔽部(3)，所述屏蔽部(3)仅仅局部侧向地围绕所述冷光二极管芯片(1)，其中每个屏蔽部(3)与光电子器件(10)的部件(20，30，40，50)一件式地构建。
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公开(公告)号：CN1879270B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200480033359.3
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)。按照本发明，在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，并且在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)。此外在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)。在接触部(9)和导电层(13)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。
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公开(公告)号：CN100474716C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580016845.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 说明了一种表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，具有垂直的发射方向，其被设置用于借助外部光学谐振器(4，5)产生激光辐射，半导体激光器部件包括具有半导体层序列(2)的半导体本体，半导体本体具有横向的主伸展方向和为产生辐射而设置的有源区(3)，其中辐射透射的接触层(6)设置在谐振器内并且与半导体本体导电地相连。
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公开(公告)号：CN1957507A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016845.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 说明了一种表面发射的半导体激光器部件，特别是电泵浦的半导体激光器部件，具有垂直的发射方向，其被设置用于借助外部光学谐振器(4，5)产生激光辐射，半导体激光器部件包括具有半导体层序列(2)的半导体本体，半导体本体具有横向的主伸展方向和为产生辐射而设置的有源区(3)，其中辐射透射的接触层(6)设置在谐振器内并且与半导体本体导电地相连。
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