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公开(公告)号：CN101390263B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200780006733.4
申请日：2007-02-08
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/22 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN1947316A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013368.0
申请日：2005-04-11
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其包括具有有源垂直发射层(3)的光泵浦的垂直发射器和泵浦辐射源，借助该泵浦辐射源产生沿横向传播的泵浦辐射，该泵浦辐射场将在泵浦区域中的垂直发射层(3)光泵浦，其中泵浦辐射场的波长小于由垂直发射器生成的辐射场(12)的波长。所述泵浦辐射源具有有源泵浦层(2)，该有源泵浦层沿垂直方向设置在垂直发射层(3)之后，并且沿垂直方向看至少部分与垂直发射层重叠，其中这样设置有源泵浦层(2)，使得工作时所产生的泵浦辐射场比由垂直发射层(3)产生的横向传播的寄生辐射场具有更高的功率，或者其中通过垂直发射层(3)来抑制横向传播的寄生辐射场的产生。
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公开(公告)号：CN101390263A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006733.4
申请日：2007-02-08
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/22 , H01S5/4031
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100508310C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480033348.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。
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公开(公告)号：CN1989629A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580025264.1
申请日：2005-06-15
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管，其向主辐射方向(15)发射电磁辐射，其中在主辐射方向(15)上，减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后，所述减小反射的层序列(16)包含：由至少一个层对(11，12)构成的DBR反射器(13)，在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9)，以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。
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公开(公告)号：CN100470972C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200580013368.0
申请日：2005-04-11
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其包括具有有源垂直发射层(3)的光泵浦的垂直发射器和泵浦辐射源，借助该泵浦辐射源产生沿横向传播的泵浦辐射，该泵浦辐射场将在泵浦区域中的垂直发射层(3)光泵浦，其中泵浦辐射场的波长小于由垂直发射器生成的辐射场(12)的波长。所述泵浦辐射源具有有源泵浦层(2)，该有源泵浦层沿垂直方向设置在垂直发射层(3)之后，并且沿垂直方向看至少部分与垂直发射层重叠，其中这样设置有源泵浦层(2)，使得工作时所产生的泵浦辐射场比由垂直发射层(3)产生的横向传播的寄生辐射场具有更高的功率，或者其中通过垂直发射层(3)来抑制横向传播的寄生辐射场的产生。
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公开(公告)号：CN100446286C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200580025264.1
申请日：2005-06-15
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管，其向主辐射方向(15)发射电磁辐射，其中在主辐射方向(15)上，减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后，所述减小反射的层序列(16)包含：由至少一个层对(11，12)构成的DBR反射器(13)，在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9)，以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。
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公开(公告)号：CN1879269A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033348.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。
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