公开(公告)号：CN100446286C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200580025264.1

申请日：2005-06-15

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 伊内斯·皮聪卡 ,  沃尔夫冈·施密德 ,  拉尔夫·维尔特

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管，其向主辐射方向(15)发射电磁辐射，其中在主辐射方向(15)上，减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后，所述减小反射的层序列(16)包含：由至少一个层对(11，12)构成的DBR反射器(13)，在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9)，以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。

公开(公告)号：CN1989629A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580025264.1

申请日：2005-06-15

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 伊内斯·皮聪卡 ,  沃尔夫冈·施密德 ,  拉尔夫·维尔特

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种包括有源区(7)的发光二极管，其向主辐射方向(15)发射电磁辐射，其中在主辐射方向(15)上，减小反射的层序列(16)设置在所述有源区(7)之后，所述减小反射的层序列(16)包含：由至少一个层对(11，12)构成的DBR反射器(13)，在主辐射方向(15)上跟在所述DBR反射器(13)之后的增透层(9)，以及设置在所述DBR反射器(13)与所述增透层(9)之间的中间层(14)。