- 专利标题: 与半导体量子级联激光器的端面相邻的P-型隔离区
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申请号: CN201280013510.1申请日: 2012-03-01
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公开(公告)号: CN103430405B公开(公告)日: 2016-11-09
- 发明人: C·G·卡诺 , 谢峰 , C-E·扎
- 申请人: 索雷博量子电子股份有限公司
- 申请人地址: 美国马里兰州
- 专利权人: 索雷博量子电子股份有限公司
- 当前专利权人: 索雷博量子电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国马里兰州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张欣
- 优先权: 13/050,058 2011.03.17 US
- 国际申请: PCT/US2012/027192 2012.03.01
- 国际公布: WO2012/125299 EN 2012.09.20
- 进入国家日期: 2013-09-16
- 主分类号: H01S5/0625
- IPC分类号: H01S5/0625 ; H01S5/16 ; H01S5/34 ; H01S5/223
摘要:
提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括有源波导芯(29),被夹在沿激光器的波导轴延伸的上侧(22,26)和下侧(24)n‑型包覆层之间。该上侧n‑型包覆层的一部分(40)包括足够多的p‑型掺杂剂以变成p‑型且变成电隔离区。这些隔离区可仅被设置在激光器的窗口端面段(13,14)之一或这两者处,以在这些端面段中提供垂直隔离,从而减少进入激光器的端面区的电流、并帮助使可能有害的端面加热达到最小。可设置附加p‑型电隔离区(40)以形成沿激光器的波导轴延伸的电隔离的激光器段(10,12,16)。
公开/授权文献
- CN103430405A 与半导体量子级联激光器的端面相邻的P-型隔离区 公开/授权日:2013-12-04