与半导体量子级联激光器的端面相邻的P-型隔离区
摘要:
提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括有源波导芯(29),被夹在沿激光器的波导轴延伸的上侧(22,26)和下侧(24)n‑型包覆层之间。该上侧n‑型包覆层的一部分(40)包括足够多的p‑型掺杂剂以变成p‑型且变成电隔离区。这些隔离区可仅被设置在激光器的窗口端面段(13,14)之一或这两者处,以在这些端面段中提供垂直隔离,从而减少进入激光器的端面区的电流、并帮助使可能有害的端面加热达到最小。可设置附加p‑型电隔离区(40)以形成沿激光器的波导轴延伸的电隔离的激光器段(10,12,16)。
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