激光器及光模块
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108321675B

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201810314721.8

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本发明提供一种激光器及光模块,其中,激光器包括:用于发光的基部、以及设置在所述基部的背光端的增反膜;所述增反膜包括厚度为第一设定值的第一增反层和厚度为第二设定值的第二增反层,所述第一增反层和第二增反层沿所述激光器的主光轴方向交替设置,且所述第一增反层和第二增反层的折射率不同。本发明提供的激光器及光模块能够解决激光器的啁啾问题,进而提高信号有效传输距离,且具有较为简单的结构和较小的体积。

    激光器及光模块
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108321675A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810314721.8

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本发明提供一种激光器及光模块,其中,激光器包括:用于发光的基部、以及设置在所述基部的背光端的增反膜;所述增反膜包括厚度为第一设定值的第一增反层和厚度为第二设定值的第二增反层,所述第一增反层和第二增反层沿所述激光器的主光轴方向交替设置,且所述第一增反层和第二增反层的折射率不同。本发明提供的激光器及光模块能够解决激光器的啁啾问题,进而提高信号有效传输距离,且具有较为简单的结构和较小的体积。

    一种边发射激光器与制作方法

    公开(公告)号:CN106549302A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201610835050.0

    申请日:2016-09-20

    Inventor: 方瑞禹

    CPC classification number: H01S5/2202 H01S5/0683 H01S5/2218

    Abstract: 本发明公开了一种边发射激光器,该边发射激光器包括激光器单元与探测器单元,光通过激光器单元的后端面发射至探测器单元的前端面,激光器单元的后端面与探测器单元的前端面不平行,后端面与前端面所在的平面构成不规则的多边形腐蚀腔,腐蚀腔的腔面之间具有特定规则的角度,特定规则的角度用于使从所述探测器单元反射的光发生衰减至预设阈值,减少了从探测器单元的前端面发射进入激光器单元的有源区的光功率,最大限度降低甚至消除了腐蚀区域的反射效应,避免了光场扰动造成的信号传播质量下降。同时还公开了一种边发射激光器的制作方法。

    半导体激光芯片及半导体激光装置

    公开(公告)号:CN106785914B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201710176874.6

    申请日:2017-03-22

    Inventor: 方瑞禹

    Abstract: 本公开是关于一种半导体激光芯片及半导体激光装置,该半导体激光芯片包括:基板;设于所述基板上的有源层;设于所述有源层上的限制层,其中,隔断面将所述有源层和所述限制层分别隔断;设于所述隔断面上的P型层以及设于所述P型层上的N型层;设于所述P型层和所述N型层上方且与所述P型层、所述N型层和所述限制层均接触的包层;设于所述包层上的电接触层;以及隔离槽,所述隔离槽位于被隔断的所述有源层之间,并且所述隔离槽将所述电接触层、所述包层、所述N型层和所述P型层隔断。本公开提高了单位尺寸上半导体激光芯片的良品率。

    激光芯片及其制备方法、光模块

    公开(公告)号:CN107275925A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710638841.9

    申请日:2017-07-31

    Inventor: 方瑞禹 徐晓颖

    CPC classification number: H01S5/12 H01S5/1231 H01S5/34

    Abstract: 本发明实施例提供了一种激光芯片,包括基板,设于基板上的第一有源区和第二有源区;设于第一有源区上的第一光栅,第一有源区发出的光在第一光栅处发生布拉格反射;设于第二有源区上的第二光栅,第二有源区发出的光在第二光栅处发生布拉格反射;第一光栅与第二光栅不平行设置,解理后具有不同的端面相位,使得第一发光单元与第二发光单元具有不同的单模抑制比SMSR以及良率,激光芯片可以筛选性能更优越的发光单元。

    一种脊波导激光器电极接触窗口的制作方法

    公开(公告)号:CN107257082A

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201710542559.0

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种脊波导激光器电极接触窗口的制作方法,用以降低脊波导激光器电极接触窗口制作成本,该方法包括:对晶元上沉积的波导层进行刻蚀,形成脊波导结构以及脊波导结构两侧的结构;在脊波导结构和脊波导结构两侧的结构表面沉积电介质层;在电介质层的表面涂覆光刻胶;利用掩膜板对光刻胶进行光刻,将电介质层表面上覆盖脊波导结构的光刻胶去除;对电介质层表面未去除的光刻胶进行热处理,令未去除的光刻胶在发生形变;以光刻胶为掩膜对电介质层进行刻蚀,将覆盖在脊波导结构表面的电介质去除,形成电极接触窗口,使得利用低精度的光刻设备便能完成脊波导激光器电极接触窗口的制作,降低了成本。

    一种激光器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106253057A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610874839.7

    申请日:2016-09-30

    Inventor: 方瑞禹

    CPC classification number: H01S5/4025

    Abstract: 本发明的实施例提供一种激光器件,涉及光通信技术领域,能够提供一种新的元件布局方式,有效控制成本。该激光器件包括多模波导、多个激光器以及对应每个激光器的光波导;其中,所述多个激光器呈N*M阵列式排布,所述激光器的第一出光面通过光波导连接至所述多模波导的分支端口,所述多模波导的公共端口连接至输出单模光波导,其中所述N≥2,M=2;其中,第一列激光器的第一出光面与第二列激光器的第一出光面相对。本发明的实施例用于光传输。

    一种激光器波导宽度的测量方法

    公开(公告)号:CN111366115B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202010192823.4

    申请日:2020-03-18

    Inventor: 郝润豹 方瑞禹

    Abstract: 本申请公开了一种激光器波导宽度的测量方法,晶圆表面依次生成电介质层、光刻胶层;对光刻胶层曝光,使得光刻胶层附有掩膜版图形,掩膜版图形包括多个独立的脊图形,相邻两个脊图形的第一宽度差为定值;对附有掩膜版图形的光刻胶层显影;依次刻蚀去除显示区域的电介质层、显示区域外的剩余区域的光刻胶层、显示区域的晶圆以及显示区域外的晶圆,得到多个倒梯形脊波导;根据第二宽度差得到所需测量的倒梯形脊波导的底部宽度。设计掩膜版图形,将掩膜版图形复制到晶圆上刻蚀,得到多个倒梯形脊波导;根据第二宽度差得到所需测量的倒梯形脊波导的底部宽度,无需再通过切片进行测量,提高了测量效率。

    一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN108493760A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810317772.6

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本发明提供一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法。PECVD方法制备的Si3N4膜层的膜层应力为负应力,而PECVD方法制备的SiON膜层的膜层应力为正应力。本发明通过将具有负应力的Si3N4膜层和具有正应力的SiON膜层进行复合,形成较低应力的Si3N4/SiON复合膜,从而降低芯片制备过程中的应力叠加效应。另外,Si3N4膜层和SiON膜层均具有较好的抗水汽性能,因而制备的Si3N4/SiON复合膜能够同时具备抗水汽性能及低膜层应力性能,满足高速激光器芯片的性能要求。

    激光器的制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107959225A

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201610908774.3

    申请日:2016-10-18

    Inventor: 方瑞禹

    Abstract: 本发明提供一种激光器的制造方法,包括:在衬底上生长有源层;对有源层和衬底进行刻蚀,以形成凸出的且具有设定间隔距离的两个台面;在两个台面的两侧生长反向PN结,并使反向PN结覆盖两个台面的有源层的两侧;在反向PN结和两个台面的有源层上生长用于光限制的包层;在包层上生长用于电接触的接触层;对接触层、包层、反向PN结和衬底进行刻蚀,以在两个台面的两侧形成隔离槽;制作电极以形成两个激光器单元。本发明可提高激光器的良率,降低高激光器的制造成本。

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