本器件是一种包括生长面、生长掩膜、光波导核心台面结构和包层的光电子器件或透明波导器件。生长掩膜位于半导体面上，并且限定了具有周期性光栅轮廓的细长生长窗口。光波导核心台面结构位于生长窗口中，并且具有梯形的截面形状。包层覆盖了光波导核心台面结构，并且在生长掩膜的至少一部分上延伸。通过下述来制造这样的器件：提供包括生长面的晶片，通过微选择区域生长在第一生长温度在生长面上生长光波导核心台面结构，以及在比第一生长温度低的第二生长温度利用包层材料来覆盖光波导核心台面结构。