公开(公告)号：CN108011295B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201711043860.3

申请日：2017-10-31

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 小河直毅

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。

公开(公告)号：CN108011295A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711043860.3

申请日：2017-10-31

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 小河直毅

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34313 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34366 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3438

Abstract: 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。