公开(公告)号：CN104157762A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410422581.8

申请日：2014-08-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 罗毅 ,  余佳东 ,  汪莱 ,  杨迪 ,  郝智彪

IPC: H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供了一种无荧光粉白光LED及LED发光模块，所述无荧光粉白光LED包括衬底和依次设置在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和p型层；所述有源层包括长波长发光区域和短波长发光区域，本发明提出的无荧光粉白光LED发光模块，包括上述的无荧光粉白光LED和用于产生驱动信号的驱动电路，驱动电路可以产生频率不低于200Hz的交流驱动信号。本发明解决了现有主流白光LED(蓝光激发黄色荧光粉)荧光粉寿命短、色温高以及显色指数低等问题，实现了无荧光粉的单芯片LED发白光。

公开(公告)号：CN108767659A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810568011.8

申请日：2018-06-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 汪莱 ,  王磊 ,  余佳东 ,  郝智彪 ,  罗毅

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/34

Abstract: 本公开提供了一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法，包括：制备GaN自支撑衬底；在GaN自支撑衬底上形成二维材料层；在二维材料层上外延生长n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上生长n‑InGaN波导层、InGaN多量子阱或者量子点有源区、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑InGaN波导层、p‑AlGaN光限制层和p‑GaN接触层。