公开(公告)号：CN105406351A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510958578.2

申请日：2013-03-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 乌韦·施特劳斯 ,  森克·陶茨 ,  艾尔弗雷德·莱尔 ,  卡斯滕·奥恩 ,  克莱门斯·菲尔海利希

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。

公开(公告)号：CN103326233A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310088473.7

申请日：2013-03-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 乌韦·施特劳斯 ,  森克·陶茨 ,  艾尔弗雷德·莱尔 ,  卡斯滕·奥恩 ,  克莱门斯·菲尔海利希

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。

公开(公告)号：CN105406351B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201510958578.2

申请日：2013-03-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 乌韦·施特劳斯 ,  森克·陶茨 ,  艾尔弗雷德·莱尔 ,  卡斯滕·奥恩 ,  克莱门斯·菲尔海利希

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。

公开(公告)号：CN104254798B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380022285.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 卡斯滕·奥恩

IPC: G02B6/42 ,  G02B17/08 ,  H01L33/48 ,  H01S5/022

CPC classification number: F21V17/06 ,  F21K9/60 ,  F21K9/90 ,  G02B6/4204 ,  G02B19/0061 ,  H01L33/483 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02288 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出一种发射辐射的设备(10)，其包括光电子半导体器件(1)和至少一个光学元件(2，2a，2b)。光学元件(2，2a，2b)沿放射方向设置在半导体器件(1)的下游。光学元件(2a，2b，2)借助夹子一种用于制造这种设备(10)的方法。(3)机械地固定在半导体器件(1)上。此外，提出

公开(公告)号：CN103326233B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310088473.7

申请日：2013-03-19

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 乌韦·施特劳斯 ,  森克·陶茨 ,  艾尔弗雷德·莱尔 ,  卡斯滕·奥恩 ,  克莱门斯·菲尔海利希

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。

公开(公告)号：CN104254798A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380022285.2

申请日：2013-04-17

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 卡斯滕·奥恩

IPC: G02B6/42 ,  G02B17/08 ,  H01L33/48 ,  H01S5/022

CPC classification number: F21V17/06 ,  F21K9/60 ,  F21K9/90 ,  G02B6/4204 ,  G02B19/0061 ,  H01L33/483 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02288 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出一种发射辐射的设备(10)，其包括光电子半导体器件(1)和至少一个光学元件(2，2a，2b)。光学元件(2，2a，2b)沿放射方向设置在半导体器件(1)的下游。光学元件(2a，2b，2)借助夹子(3)机械地固定在半导体器件(1)上。此外，提出一种用于制造这种设备(10)的方法。