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公开(公告)号：CN113424379A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013486.6
申请日：2020-01-16
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 延斯·埃贝克
Abstract: 本发明涉及一种边缘发射的激光二极管，其包括半导体层堆叠，所述半导体层堆叠的生长方向确定垂直方向，并且其中，半导体层堆叠包括有源层和波导层。热应力元件布置成与半导体层堆叠至少间接接触，其中，热应力元件设置成用于在波导层中产生热诱导的机械应力，所述机械应力抵消热透镜的形成。
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公开(公告)号：CN104584242B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380044391.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种光电子半导体本体(1)，所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域半导体层序列(2)。有源区域(20)设置在第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)之间。在第一势垒区域(21)中设置有至少一个载流子势垒层(3)，所述载流子势垒层是拉应变的。此外，提出一种具有这样的半导体本体的半导体芯片(10)。(20)、第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)的
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公开(公告)号：CN113994483A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080041359.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/18
Abstract: 一种对包括一组磷化铝镓铟发光二极管或AlGaInP‑LED的半导体晶圆(10)进行处理以提高AlGaInP‑LED的光产生效率的方法，其中，每个ALGaInP‑LED包括夹在两个外层之间的用于光产生的核心有源层，核心有源层具有中心光产生区域(20)和围绕中心光产生区域的外围边缘(22)，该方法包括以下步骤：利用激光束(L)处理每个AlGaInP‑LED的核心有源层的外围边缘(22)，从而将每个外围边缘(22)中的最小带隙增加到以下这样的程度：在AlGaInP‑LED的后续操作期间，电子空穴复合基本上被限制于中心光产生区域。
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公开(公告)号：CN108292697A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680067380.8
申请日：2016-11-17
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有：外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行时产生电磁辐射；和钝化层(10)，在所述钝化层中静力学固定电的载流子，或者所述钝化层引起半导体层序列(1)的表面态的饱和。钝化层(10)施加在半导体层序列(1)的侧面(8)上，并且钝化层(10)至少部分地遮盖有源区(2)。
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公开(公告)号：CN105765371A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480063969.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: G01N21/6489 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01R31/2635 , H01L33/0095
Abstract: 提出一种用于光电子半导体材料(1)的整面的光学表征的方法，所述半导体材料设置用于制造多个光电子半导体芯片并且所述半导体材料具有给定半导体材料(1)的特征波长的带隙，所述方法具有下述步骤：A)用具有小于半导体材料(1)的特征波长的激发波长的光(20)整面地辐照光电子半导体材料(1)的主表面(11)，以在半导体材料(1)中产生电子空穴对；B)整面地检测通过电子空穴对复合从半导体材料(1)的主表面(11)放射的、具有特征波长的复合辐射(30)。此外，提出一种用于执行该方法的设备(100)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113892193B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080039544.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/81 , H10H20/824
Abstract: 一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有Mg；在沉积Mg之后，将Zn沉积在第二层(50)中，使得第二层中Zn的浓度在第二层的与有源区相邻的第一区域中从第一值减小到第二值，所述第一区域在5nm至200nm的范围内，特别地小于50nm。
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公开(公告)号：CN110474230B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910393811.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 哈拉尔德·柯尼希 , 延斯·埃贝克 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 斯文·格哈德 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种具有半导体本体的光电子半导体器件，半导体本体包括第一传导类型的第一区域、设计用于产生电磁辐射的有源区域和第二传导类型的第二区域以及设置用于耦合输出电磁辐射的耦合输出面。第一区域、有源区域和第二区域沿着堆叠方向设置。有源区域从与耦合输出面相对置的后侧面沿着纵向方向延伸至耦合输出面，纵向方向横向于或垂直于堆叠方向伸展。耦合输出面平面平行于后侧面设置。半导体本体的耦合输出面和后侧面借助于蚀刻工艺产生。此外提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN108292697B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680067380.8
申请日：2016-11-17
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有：外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行时产生电磁辐射；和钝化层(10)，在所述钝化层中静力学固定电的载流子，或者所述钝化层引起半导体层序列(1)的表面态的饱和。钝化层(10)施加在半导体层序列(1)的侧面(8)上，并且钝化层(10)至少部分地遮盖有源区(2)。
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公开(公告)号：CN113424379B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202080013486.6
申请日：2020-01-16
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 延斯·埃贝克
Abstract: 本发明涉及一种边缘发射的激光二极管，其包括半导体层堆叠，所述半导体层堆叠的生长方向确定垂直方向，并且其中，半导体层堆叠包括有源层和波导层。热应力元件布置成与半导体层堆叠至少间接接触，其中，热应力元件设置成用于在波导层中产生热诱导的机械应力，所述机械应力抵消热透镜的形成。
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公开(公告)号：CN113892193A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039544.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有Mg；在沉积Mg之后，将Zn沉积在第二层(50)中，使得第二层中Zn的浓度在第二层的与有源区相邻的第一区域中从第一值减小到第二值，所述第一区域在5nm至200nm的范围内，特别地小于50nm。
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