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公开(公告)号：CN110603653A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029625.7
申请日：2018-05-02
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 一种光电子半导体芯片(100)，所述光电子半导体芯片包括：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有用于发射电磁辐射的有源层(10)。此外，半导体芯片(1)包括在半导体层序列(1)的背侧(12)上的两个接触元件(21，22)以及在半导体层序列(1)的与背侧(12)相对置的前侧(11)上的辐射可穿透的冷却元件(3)。在冷却元件(3)和半导体层序列(1)之间设置有含硅氧烷的转换层(4)。接触元件(21，22)用于电接触半导体芯片(100)并且在半导体芯片(100)的未安装的状态下露出。冷却元件(3)与半导体层序列(1)的生长衬底不同并且具有至少0.7W/(m·K)的热导率。
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公开(公告)号：CN110494991A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880023660.8
申请日：2018-03-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：-提供辅助载体(1，1’)，-将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到辅助载体(1，1’)上，-施加第一灌封料(8)，使得产生半导体芯片复合件，以及-借助于锯割将半导体芯片复合件分别在两个半导体芯片(2)之间分离，其中辅助载体(1，1’)不分开，使得至少在半导体芯片(2)的侧面上分别产生第一灌封料(8)的层。此外，提出另一方法和一种发射辐射的半导体器件。
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公开(公告)号：CN109390458A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810869489.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 伊瓦尔·通林
Abstract: 一种发光半导体芯片，所述发光半导体芯片具有：-辐射可穿透的衬底(101)，-在衬底(101)的主面(104)上的外延生长的半导体层序列(102)，-在半导体层序列(102)的背离衬底(101)的接触侧(114)上的第一接触部(105)和第二接触部(106)，所述第一和第二接触部用于电接触和机械接触半导体芯片(100)，-透明导电层(107)，所述透明导电层设置在接触侧(114)上并且与第一接触部(105)电连接。
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公开(公告)号：CN107004740A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065421.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(51，52)，其中‑多量子阱结构(51，52)具有：第一区域(51)，所述第一区域由交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)构成；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，‑至少一个第二量子阱层(52A)具有电子带隙(EQW2)，所述电子带隙小于第一量子阱层(51A)的电子带隙(EQW1)，‑至少一个第二阻挡层(52B)具有电子带隙(EB2)，所述电子带隙大于第一阻挡层(51B)的电子带隙(EB1)。
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公开(公告)号：CN103875141B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280048167.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 伊瓦尔·通林 , 马丁·鲁道夫·贝林格
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01S5/34326
Abstract: 在至少一个实施形式中提出用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）。半导体层序列（1）包含至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱（2）之间。量子阱（2）具有第一平均铟含量并且势垒层（3）具有较小的第二平均铟含量。势垒层（3）的第二平均晶格常数在此小于量子阱（2）的第一平均晶格常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105493299A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480042009.7
申请日：2014-07-22
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/06
Abstract: 提出一种光电子半导体芯片(10)，包括：p型半导体区域(4)；n型半导体区域(6)；设置在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(7)，其中多量子阱结构(7)具有多个交替的量子阱层(71)和阻挡层(72，73)，其中与距n型半导体区域(6)相比更靠近p型半导体区域(4)设置的至少一个阻挡层是高阻挡层(73)，所述高阻挡层具有电子带隙(Ehb)，所述电子带隙大于其余的阻挡层(72)的电子带隙(Eb)。
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公开(公告)号：CN107004740B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201580065421.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(51，52)，其中‑多量子阱结构(51，52)具有：第一区域(51)，所述第一区域由交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)构成；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，‑至少一个第二量子阱层(52A)具有电子带隙(EQW2)，所述电子带隙小于第一量子阱层(51A)的电子带隙(EQW1)，‑至少一个第二阻挡层(52B)具有电子带隙(EB2)，所述电子带隙大于第一阻挡层(51B)的电子带隙(EB1)。
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公开(公告)号：CN104584242B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380044391.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种光电子半导体本体(1)，所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域半导体层序列(2)。有源区域(20)设置在第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)之间。在第一势垒区域(21)中设置有至少一个载流子势垒层(3)，所述载流子势垒层是拉应变的。此外，提出一种具有这样的半导体本体的半导体芯片(10)。(20)、第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)的
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公开(公告)号：CN103765612B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280041909.0
申请日：2012-07-06
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/48463
Abstract: 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有至少一个有源层（20）的半导体层序列（2）。此外，半导体芯片（1）具有在半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）和在与辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（4）。此外，半导体芯片（1）包含至少两个沟道（5），所述沟道（5）从辐射主侧（23）伸展至下侧（24）。在辐射主侧（23）的俯视图中看，上侧接触结构（3）和下侧接触结构（4）彼此间隔地布置。同样在辐射主侧（23）的俯视图中看，沟道（5）位于上侧接触结构（3）与下侧接触结构（4）之间。
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公开(公告)号：CN103875141A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280048167.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 伊瓦尔·通林 , 马丁·鲁道夫·贝林格
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01S5/34326
Abstract: 在至少一个实施形式中提出用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）。半导体层序列（1）包含至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱（2）之间。量子阱（2）具有第一平均铟含量并且势垒层（3）具有较小的第二平均铟含量。势垒层（3）的第二平均晶格常数在此小于量子阱（2）的第一平均晶格常数。
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