-
公开(公告)号：CN113892193B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080039544.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/81 , H10H20/824
Abstract: 一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有Mg；在沉积Mg之后，将Zn沉积在第二层(50)中，使得第二层中Zn的浓度在第二层的与有源区相邻的第一区域中从第一值减小到第二值，所述第一区域在5nm至200nm的范围内，特别地小于50nm。
-
公开(公告)号：CN103168369B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180050595.6
申请日：2011-10-17
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 沃尔夫冈·施密德 , 克里斯托夫·克伦普 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/10336 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/10345 , H01L2924/10349 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光电子半导体器件（10），其具有半导体本体（1）、介电层（2）、镜（3）和附加层（4）。所述半导体本体（1）具有用于产生电磁辐射的有源区（1c）、用于电接触的n型接触部（1a）和p型接触部（1b）。所述介电层（2）设置在半导体本体（1）和镜（3）之间。附加层（4）设置在半导体本体（1）和介电层（2）之间。此外，提出一种用于制造这种器件（10）的方法。
-
公开(公告)号：CN103168369A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050595.6
申请日：2011-10-17
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 沃尔夫冈·施密德 , 克里斯托夫·克伦普 , 阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/10336 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/10345 , H01L2924/10349 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光电子半导体器件（10），其具有半导体本体（1）、介电层（2）、镜（3）和附加层（4）。所述半导体本体（1）具有用于产生电磁辐射的有源区（1c）、用于电接触的n型接触部（1a）和p型接触部（1b）。所述介电层（2）设置在半导体本体（1）和镜（3）之间。附加层（4）设置在半导体本体（1）和介电层（2）之间。此外，提出一种用于制造这种器件（10）的方法。
-
公开(公告)号：CN113994483A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080041359.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/18
Abstract: 一种对包括一组磷化铝镓铟发光二极管或AlGaInP‑LED的半导体晶圆(10)进行处理以提高AlGaInP‑LED的光产生效率的方法，其中，每个ALGaInP‑LED包括夹在两个外层之间的用于光产生的核心有源层，核心有源层具有中心光产生区域(20)和围绕中心光产生区域的外围边缘(22)，该方法包括以下步骤：利用激光束(L)处理每个AlGaInP‑LED的核心有源层的外围边缘(22)，从而将每个外围边缘(22)中的最小带隙增加到以下这样的程度：在AlGaInP‑LED的后续操作期间，电子空穴复合基本上被限制于中心光产生区域。
-
公开(公告)号：CN103907210A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053075.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 马丁·鲁道夫·贝林格 , 马库斯·布勒尔 , 克里斯托夫·克伦普
IPC: H01L33/22
Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括半导体层序列(2)以用于产生电磁辐射。半导体层序列(2)具有光出射侧(25)，将光耦合输出层(4)安置在所述光出射侧上。光耦合输出层(4)包括由对于所产生的辐射而言透射的材料制成的辐射不活跃的纳米晶体(40)。对于所产生的辐射而言，纳米晶体(40)的材料的折射率为至少1.9或至少2.2。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113892193A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039544.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有Mg；在沉积Mg之后，将Zn沉积在第二层(50)中，使得第二层中Zn的浓度在第二层的与有源区相邻的第一区域中从第一值减小到第二值，所述第一区域在5nm至200nm的范围内，特别地小于50nm。
-
公开(公告)号：CN103828072A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280046500.8
申请日：2012-07-30
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 马丁·鲁道夫·贝林格 , 克里斯托夫·克伦普 , 伊瓦尔·通林 , 彼得·海德博恩
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种发射辐射的半导体芯片（1），所述半导体芯片具有带有半导体层序列（2）的半导体本体，其中带有半导体层序列的半导体本体在竖直方向上在第一主面（21）和第二主面（22）之间延伸；半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域（5）、第一导电类型的第一区域（3）和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二区域（4）；第一区域在竖直方向上在第一主面和有源区域之间延伸；第二区域在竖直方向上在第二主面和有源区域之间延伸；有源区域的至少一个层基于砷化物的化合物半导体材料；并且第一区域或第二区域关于在竖直方向上的相应的伸展至少一半基于磷化物的化合物半导体材料。
-
公开(公告)号：CN104685645B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201380050893.4
申请日：2013-09-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 马丁·鲁道夫·贝林格 , 克里斯托夫·克伦普 , 马库斯·布勒尔
IPC: H01L33/44 , H01L33/02 , H01L33/20 , H01L23/544
CPC classification number: H01L33/20 , G06K19/06028 , G06K19/067 , H01L23/544 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/5448 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光电子构件(101，301，501)，其包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中半导体层序列(105，305，505)具有用于标识构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)。本发明还涉及一种用于制造光电子构件(101，301，501)的方法。
-
公开(公告)号：CN103907210B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280053075.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 马丁·鲁道夫·贝林格 , 马库斯·布勒尔 , 克里斯托夫·克伦普
IPC: H01L33/22
Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括半导体层序列(2)以用于产生电磁辐射。半导体层序列(2)具有光出射侧(25)，将光耦合输出层(4)安置在所述光出射侧上。光耦合输出层(4)包括由对于所产生的辐射而言透射的材料制成的辐射不活跃的纳米晶体(40)。对于所产生的辐射而言，纳米晶体(40)的材料的折射率为至少1.9或至少2.2。
-
公开(公告)号：CN104685645A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380050893.4
申请日：2013-09-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 马丁·鲁道夫·贝林格 , 克里斯托夫·克伦普 , 马库斯·布勒尔
IPC: H01L33/44 , H01L33/02 , H01L33/20 , H01L23/544
CPC classification number: H01L33/20 , G06K19/06028 , G06K19/067 , H01L23/544 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/5448 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光电子构件(101，301，501)，其包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中半导体层序列(105，305，505)具有用于标识构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)。本发明还涉及一种用于制造光电子构件(101，301，501)的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.033 seconds)
