公开(公告)号：CN108336007A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810029275.6

申请日：2018-01-11

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 关家一马

IPC分类号： H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67724 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L21/6773 ,  H01L21/67781

摘要： 提供框架单元搬送系统，不增加操作者负担而将在一个工序中完成了处理的框架单元依次搬送至下一工序，实现加工工序的效率提高。该框架单元搬送系统将利用粘接带将被加工物支承于环状框架的开口而得的框架单元收纳在托盘中而进行搬送，托盘(10)包含：底部(11)，其具有在搬送中供框架单元(FU)载置的载置面(11a)；侧壁(12)，其从底部(11)竖立设置；搬出搬入口(15)，其形成于侧壁(12)，供框架单元(FU)出入；抵靠部(16)，其设置在搬出搬入口(15)的下侧，防止载置于底部(11)的框架单元(FU)从搬出搬入口(15)飞出；以及多个开口部(17)，它们与框架单元(FU)对应地形成于底部(11)的对称位置。

公开(公告)号：CN107946203A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711266580.9

申请日：2013-07-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 酒井宣隆 ,  大武守 ,  斋藤浩儿 ,  高桥富视

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/683 ,  H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L22/10 ,  H01L22/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/859 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种能够执行半导体器件的产品管理和/或迅速缺陷分析而未减少组装和测试过程中的吞吐量的技术。分别向在制造半导体器件(QFP)时使用的多个衬底(引线框)和向用于运送多个衬底的运送单元(架、批次、堆叠箱等)附着唯一标识信息。然后相互关联运送单元的标识信息(架ID)和向运送单元中存储的衬底的标识信息(衬底ID)。然后，在从向每个制造装置的加载器单元设置的运送单元取出衬底并且向装置的处理单元供应衬底时以及在向装置的卸载器单元的运送单元中存储其处理完成的衬底时，检查在运送单元的标识信息与衬底的标识信息之间的关联性。

公开(公告)号：CN105849881A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070290.5

申请日：2014-10-24

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 达伦·W·凯勒

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L24/78 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/544 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/78753 ,  H01L2224/789 ,  H01L2224/78901 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/8585 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种装置，所述装置包括具有引线接合装置(210)、测量装置(215)和剔除装置(220)的引线接合器系统。所述引线接合装置(210)被构造为将引线接合型电互连件附接到电子组件。引线接合在第一半导体装置和第二电子装置之间形成，以形成电子组件的至少一部分。所述测量装置(215)被构造为进行与引线接合相关联的三维测量，并且所述剔除装置(220)被构造为根据所述三维引线接合测量识别应予剔除的电子组件。

公开(公告)号：CN105637634A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056961.2

申请日：2014-10-14

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： P.H.格拉奇 ,  A.维格

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42

CPC分类号： H01S5/028 ,  H01L22/30 ,  H01L23/544 ,  H01L31/16 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/042 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/22 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了一种激光器件，包括提供在一个半导体芯片（110）上的两个到六个之间的台面（120），其中台面（120）并联电气连接使得台面（120）适配成如果向台面（120）提供经限定的阈值电压则发射激光。相比于具有一个台面的激光器件，具有降低的有效直径的两个至六个台面（120）改进产率和性能，而不管两个至六个台面需要半导体芯片上的更多区域因而增加半导体芯片（110）的总体尺寸这一事实。本发明还描述了一种标记半导体芯片（110）的方法。提供半导体芯片（110）的功能层并且以可以借助于经结构化的功能层的光学检测来唯一标识单个半导体芯片（110）的方式对其进行结构化。经结构化的层使得能够标识具有200μm×200μm以下尺寸的小半导体芯片（110）。

公开(公告)号：CN105590921A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510752556.0

申请日：2015-11-06

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： P·B·福尔克 ,  M·R·奥托 ,  C·R·G·米勒

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/544 ,  G06K7/1417 ,  H01L21/02107 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/48 ,  H01L2223/5442

摘要： 本发明涉及一种遵守设计规则的层标记，其揭示用于在半导体设计中包括人类可读文字的方法及器具，该半导体设计不仅为印刷在晶圆上的机器可读者，亦为人类自晶圆可读者，其取决于待印刷的层而为遵守设计规则。具体实施例包括接收包括层标记的半导体设计，层标记包括人类可读文字；将人类可读文字变换成二进制表示；将二进制表示变换成机器可读二维条码；以及在半导体晶圆上印刷二维条码。

公开(公告)号：CN102347312B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110139903.4

申请日：2011-05-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林彦甫 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，具体是一种测定底胶扩展的系统和方法。该方法包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记；将一半导体基底贴合至基底的上表面；将底胶材料置入半导体基底与基底之间；以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶扩展。另外，也可在半导体基底的上表面形成遮覆标记，且位于基底上与半导体基底上的对准标记可在基底与半导体基底的对准期间，一同作为对准标记。本发明通过在基底上形成遮覆标记，有助于防止底胶材料占用比所需的基底面积更多的面积，且有助于将半导体装置的尺寸越缩越小；另外，通过使用遮覆标记作为半导体基底与基底之间的对准标记，也可让操作者在进行目视对准时降低误对准。

公开(公告)号：CN104054161A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005859.5

申请日：2013-01-15

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 志贺豪士 ,  浅井文辉 ,  高本尚英

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供以能辨识的状态赋予了各种信息的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其为工序简化的制造方法。一种倒装芯片型半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割前述半导体晶圆；以及，工序C，对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记，其中，前述工序C的倒装芯片型半导体背面用薄膜是未固化的。

公开(公告)号：CN102640253B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201080040554.4

申请日：2010-10-04

申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司

发明人： D.查维特 ,  C.俞 ,  H.塔基亚 ,  F.卢 ,  董至强 ,  J.史

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/67294 ,  H01L22/12 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种用于通过标识半导体装置中的分立组件(裸芯、基板和/或无源元件)方法来提供后向和前向可追溯性的系统。本技术还包括一种用于生成唯一标识符，并用该唯一标识符标记半导体装置，以使得半导体装置、以及该装置内的分立组件在通过生产该半导体装置时的每个工艺和测试的情况下被跟踪和追溯。

公开(公告)号：CN103038890A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201080067306.9

申请日：2010-06-07

申请人： 韩华Q.CELLS有限公司

发明人： J·米勒 ,  M·舍夫 ,  M·赫鲁斯卡 ,  C·斯万克斯科 ,  A·库克斯

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L23/544 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02 ,  H01L23/544 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022458 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于标记太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：提供太阳能电池基底（1）；选择识别标记（7）以用于太阳能电池的制造过程的处理步骤期间识别所述太阳能电池基底（1）；以及形成穿过所述基底的多个通孔（2），其中所述多个通孔（2）的至少一部分被用来作为用于太阳能电池的发射极穿孔卷绕或者金属穿孔卷绕孔，以使所述识别标记由从所述多个通孔（2）中选择的一个或多个标记通孔（21）的几何特性来代表，本发明还涉及一种太阳能电池。

公开(公告)号：CN1184677C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN01124761.4

申请日：2001-08-03

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 池谷浩司

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件的制造方法。以往的半导体器件的电特性的测定、判断工艺和判断为优良品的半导体器件的捆扎工艺在单独的工艺中进行处理。因此，具有作为捆扎工艺的前工艺，半导体器件需要分开为优良品等级差的工艺，需要多余的时间和工艺这样的缺点。本发明在半导体器件40的特性测定、判断工艺时，把该半导体器件40的数据存储在测试器的存储器中。而且，如图10(B)所示，一个一个地记录所有的半导体器件40的数据，因此，具有在捆扎半导体器件40时，以一条捆扎线，根据该数据按照特性的等级差捆扎半导体器件的特征。