发射辐射的半导体芯片
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103828072A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201280046500.8

    申请日:2012-07-30

    Abstract: 提出一种发射辐射的半导体芯片(1),所述半导体芯片具有带有半导体层序列(2)的半导体本体,其中带有半导体层序列的半导体本体在竖直方向上在第一主面(21)和第二主面(22)之间延伸;半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(5)、第一导电类型的第一区域(3)和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二区域(4);第一区域在竖直方向上在第一主面和有源区域之间延伸;第二区域在竖直方向上在第二主面和有源区域之间延伸;有源区域的至少一个层基于砷化物的化合物半导体材料;并且第一区域或第二区域关于在竖直方向上的相应的伸展至少一半基于磷化物的化合物半导体材料。

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