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公开(公告)号：CN108141006B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201680055736.6
申请日：2016-09-29
申请人： 日本电信电话株式会社 , 国立大学法人东北大学
摘要： 作为将半导体激光器的光谱线宽缩窄至10kHz左右的构成，有外部谐振器型激光器，但存在需要许多零件且需要高精度地组装它们，控制电路变得复杂的问题。还已知有基于DFB激光器的波长可调激光器的构成，但在长的谐振器中由于制造波动而难以形成均匀的谐振器，即使在基于DFB激光器的波长可调激光器中，光谱的窄线宽化也存在界限。在本发明的半导体激光器装置中，以单模振荡的半导体激光器和使用石英玻璃的低损耗光波电路配置于共同的基板上。光波电路构成为半导体激光器的光输出的一部分传播某固定的光路长度后，由反射器反射，反馈至半导体激光器。也可以构成为将半导体激光器的输出光与光波电路的输入波导直接光学耦合。能提供光谱线宽窄、波长控制稳定的小型的激光装置。
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公开(公告)号：CN108141006A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055736.6
申请日：2016-09-29
申请人： 日本电信电话株式会社 , 国立大学法人东北大学
摘要： 作为将半导体激光器的光谱线宽缩窄至10kHz左右的构成，有外部谐振器型激光器，但存在需要许多零件且需要高精度地组装它们，控制电路变得复杂的问题。还已知有基于DFB激光器的波长可调激光器的构成，但在长的谐振器中由于制造波动而难以形成均匀的谐振器，即使在基于DFB激光器的波长可调激光器中，光谱的窄线宽化也存在界限。在本发明的半导体激光器装置中，以单模振荡的半导体激光器和使用石英玻璃的低损耗光波电路配置于共同的基板上。光波电路构成为半导体激光器的光输出的一部分传播某固定的光路长度后，由反射器反射，反馈至半导体激光器。也可以构成为将半导体激光器的输出光与光波电路的输入波导直接光学耦合。能提供光谱线宽窄、波长控制稳定的小型的激光装置。
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公开(公告)号：CN104969524A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480008298.9
申请日：2014-02-13
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H04L27/38 , H04B10/2507 , H04B10/61
CPC分类号： H04B10/6165 , H04B10/2507 , H04B10/516 , H04B10/61 , H04J14/06 , H04L27/38 , H04L2027/0067 , H04L2027/0095
摘要： 抑制电路规模的增加并且对在传输路径等中产生的相位变动进行补偿。一种光传输系统具备：导频符号检测部，检测间歇性地插入到通过针对所接收的光信号的相干检波而得到的接收复电场信号的多个导频符号；误差信号运算部，根据由导频符号检测部所检测的导频符号和预先确定的参照符号来计算示出各导频符号中的相位变动的复电场误差信号；补偿电场信号生成部，基于误差信号运算部所计算的复电场误差信号使用滤波处理来估计接收复电场信号中的所述导频符号间的相位变动；以及相位噪声补偿部，基于补偿电场信号生成部所估计的导频符号间的相位变动来进行针对接收复电场信号的相位补偿。
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公开(公告)号：CN1701478A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000980.X
申请日：2004-03-30
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 在半导体基板上，通过把折射率和它对温度的依赖关系不同的材料进行组合，提供光半导体元件和光半导体集成电路。特别是利用具有折射率对温度的依赖关系与半导体激光器的增益区域不同的材料和/或结构的传输区域，可以控制振动波长对温度的依赖关系。此外在光波导路中，沿光波导方向形成多个界面，可以以在第一界面反射的光用在其他界面反射的光减弱的方式构成。此外通过界面配置成相对光的传播方向倾斜，也可以减少因在折射率不同的光波导路间的反射和折射造成的波导路损失。
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公开(公告)号：CN111033918B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201880050160.3
申请日：2018-09-12
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01S5/0683
摘要： 使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有：DFB激光器；EA调制器，连接于DFB激光器；SOA，与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上，连接于EA调制器的出射端；以及受光器，配置于SOA的出射端侧，具有与SOA相同的组成，对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。
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公开(公告)号：CN111819743A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
申请人： 日本电信电话株式会社
摘要： 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
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公开(公告)号：CN102637997A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210085505.3
申请日：2008-03-07
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/024 , H01S5/125
CPC分类号： H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/024 , H01S5/02407 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06808 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/34306 , H01S5/4087 , H01S2301/173
摘要： 本发明的目的在于提供一种防止波长漂移的波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法。就具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域的波长可调半导体激光元件而言，相邻于波长可调区域，设置将投入的功率的大部分变换为热的热补偿区域，使投入波长可调区域的功率与投入热补偿区域的功率之和始终恒定。
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公开(公告)号：CN113366715B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202080011532.9
申请日：2020-01-24
申请人： 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01S5/02315 , H01S5/026 , H04B10/50
摘要： 本发明提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。该光发射器的特征在于，具备：子载体，搭载RF布线板、调制激光器芯片以及终端电阻体，在上表面具有接地焊盘；以及导线，用于至少将所述RF布线板与所述调制激光器芯片电连接，在所述子载体的宽度方向上配置有所述RF布线板和所述调制激光器芯片，位于从所述RF布线板经由所述终端电阻体直至到达所述接地焊盘的电路径上的所述导线的长度为0.5～1.5mm，或者所述导线具有的电感为0.4～1.2nH。
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