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公开(公告)号：CN117096187A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311284631.6
申请日：2023-10-07
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L27/085
Abstract: 本发明提供了一种电容可调控的双场板凸形势垒层CascodeHEMT器件及其制备方法，包括集成于一衬底上的增强型HEMT和耗尽型HEMT，层叠的GaN外延层、倒凸形势垒层，依次间隔、同层设置的第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极，AlGaN帽层上设置有第一栅极，第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极之间设置有钝化层；倒凸形势垒层由延伸至GaN外延层中的AlGaN埋层区域和AlGaN势垒层组成；第一栅极侧邻接设置有第一级场板，间隔设置有第二级场板，第一级场板位于AlGaN埋层区域的正上方；形成了高开关速度、耐压分布可调控的Cascode HEMT器件。
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公开(公告)号：CN114784104A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210377092.X
申请日：2022-04-12
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种基于两步退火的无金欧姆接触的射频器件及其制备方法，包括布置于衬底上的第一半导体叠层，其包含氮化物沟道层；同层布置于第一半导体叠层上的源电极、第二半导体叠层和漏电极，第二半导体叠层包括布置于氮化物沟道层上的插入层和布置于插入层上的氮化物势垒层；以及布置于氮化物势垒层上的栅极；源电极和漏电极包括依次层叠的接触层、覆盖层、阻挡层和帽层，接触层由低功函数金属M子层和金属Al子层循环层叠组成，其第一子层和最末子层为金属M。其降低了退火合金温度，改善了导通电阻高的问题，提升了器件的截止频率和最大震荡频率，避免了形成杂质而污染工艺线。
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公开(公告)号：CN110611019B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910792759.0
申请日：2019-08-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于深紫外LED半导体及其制造的技术领域，提供了一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构。其结构为依次排布的非极性面AlN自支撑衬底、N型掺杂的AlaGa(1‑a)N层、晶格匹配的AlxGa(1‑x)N/AlyInzGa(1‑y‑z)N多量子阱有源区发光层、与有源区最后一个垒层匹配的P型AlbIncGa(1‑b‑c)N电子阻挡层以及P型AlaGa(1‑a)N层，本发明能够从根本上除去深紫外LED结构中强极化，消除所有对有源区能带结构的弯曲影响，极大的提高有源区的内电子与空穴的复合，从而提高深紫外LED内量子量效率，改善发光。
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公开(公告)号：CN110137277A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910281833.2
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及其制备方法，所述探测器包括非极性自支撑GaN衬底、n型GaN层、n型Alx1Ga1-x1N渐变层、本征Alx2Ga1-x2N层、p型Aly1Ga1-y1N/Aly2Ga1-y2N超晶格层、p型GaN盖层，并自下而上依次排布；非极性自支撑GaN衬底的背面连接n型欧姆电极；p型GaN盖层的上表面连接p型欧姆电极。该探测器解决了极化电场较大、外延层与衬底之间晶格失配、p型掺杂困难、内部电场不均匀的问题，且简化了紫外光电探测器芯片制备工艺。
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公开(公告)号：CN110085710A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910282332.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED，所述LED包括衬底、N型掺杂的GaN层、InxGa（1-x）N/GaN多量子阱有源区发光层、P型AlyGa（1-y）N电子阻挡层和P型GaN帽层，并在衬底的表面从下到上依次排布。本发明所述非极性GaN自支撑衬底能降低衬底和N型GaN之间的缺陷密度，减小了LED的极化效应，使有源区的电子和空穴受到极化效应的影响更小，更容易发生辐射复合即减小了载流子复合寿命，改善了LED的性能，从根本上消除LED有源区内电场对载流子寿命的影响，提高LED带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105655454A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511023589.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 华南师范大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L21/77 , H01L27/15 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种高出光效率的高调制的发光二极管及其制备方法。所述高出光效率的高调制发光晶体管包括发光二极管芯片，发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，发光外延结构设于衬底之上，发光外延结构依次包括第一N型半导体层、第一P型半导体层、量子阱层、第二P型半导体层、第二N型半导体层及导电层，所述第一P型半导体层包括P型铝镓氮电子阻挡层、P型接触层及P型铟镓氮层，量子阱层为未掺杂的In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N/GaN量子阱层，集电极设于第一N型半导体层，基极设于P型接触层，发射极设于导电层。本发明提供的发光二极管具有高出光效率和高速调制的优点。
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公开(公告)号：CN104616837A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510054345.X
申请日：2015-02-02
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供平面有序化的金属纳米线叠层透明导电薄膜及其制备方法。其目的是在。该方法的实现过程为：通过水浴辅助加热金属纳米线的水醇分散液产生溶剂对流，这种水醇溶剂流诱导金属纳米线在分散液-空气界面上自组装,形成单层金属纳米线有序薄膜，采用浸渍提拉法将该有序薄膜转移到所需衬底上，随后多次正交提拉形成叠层金属纳米线网格，从而制成平面有序化金属纳米线叠层透明导电薄膜。本发明克服利用旋涂法、喷涂法等方法制备的金属纳米线透明导电薄膜存在随机排列和堆积现象，减小透明导电薄膜表面粗糙度和方块电阻，本发明有利于基于金属纳米线的透明导电薄膜在有机太阳能电池、有机发光二极管等薄膜器件中的应用。
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公开(公告)号：CN119230675A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411360644.1
申请日：2024-09-27
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种绿光LED，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；多量子阱层包括n个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构由InGaN层、第一GaN层、AlGaN插入层和第二GaN层依次层叠而成，AlGaN插入层的Al组分沿衬底指向p型层的方向上逐层增大；超晶格电子阻挡层由m个周期的AlGaN/GaN叠层和设置于该叠层上的AlGaN厚层组成；该多量子阱层和超晶格电子阻挡层的设置有效提高了势垒高度，降低了电子泄露，缓解了热电子的移动速度，促进载流子的更快扩散，改善电流拥堵作用，具有更优的辐射发光性能和更高的调制带宽。
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公开(公告)号：CN116845101A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310824161.1
申请日：2023-07-06
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高耐压的增强型CAVET及其制备方法，包括设置于衬底上的缓冲层，设置于缓冲层上的电流孔径层和对称设置于电流孔径层两侧的第一凹形电流阻挡结构和第二凹形电流阻挡结构，位于电流孔径层和凹形电流阻挡结构上的沟道层和势垒层，势垒层上设置有具有通孔的双层p型GaN帽层，通孔中设置有钝化层，第一源极和第二源极设置于势垒层的两端，p型GaN帽层和钝化层上设置有栅极，栅极与源极之间设置有钝化层，衬底的背面设置有漏极，该器件具有高击穿电压、低导通电阻和较高的阈值电压，制备方法简单、易操作。
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公开(公告)号：CN113517335B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110657623.6
申请日：2021-06-13
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于HEMT器件的技术领域，具体涉及一种可调节的复合凹槽栅E‑HEMT器件及其制备方法。所述E‑HEMT器件包括如下依次设置的组件：衬底、AlN缓冲层、AlGaN/GaN应力释放层、高阻GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，还包括设置于势垒层上的复合凹槽栅极、源极、漏极以及钝化层，复合凹槽栅极包括P‑GaN层、栅介质层以及栅金属层组成，其位于势垒层的凹槽中，凹槽的一侧生长P‑GaN层，另一侧与P‑GaN层上方之间依次外延生长栅介质层以及栅金属层填满凹槽，形成复合凹槽栅极，形成高阈值电压，较高饱和电流、低栅极漏电流、大栅压摆幅的E‑HEMT器件。
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