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公开(公告)号：CN110137244A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910281837.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基自支撑衬底的垂直结构HEMT器件及制备方法。所述器件包括衬底、外延结构以及源极、栅极、漏极，所述外延结构包括依次在所述衬底正面形成的电流阻挡层、导通通孔、第二半导体层、第一半导体层以及钝化层，所述第一半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极位于所述钝化层上，所述漏极位于所述衬底背面。本发明中电流阻挡层为绝缘层，其栅下对应区域为Si掺杂的n型重掺杂电流导通通孔，且导通通孔的横截面呈倒梯形状，此结构有利于愈合，能够有效缓解空隙区漏电等问题。本发明提供的器件具有高耐压、低漏电等优点。
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公开(公告)号：CN110620167B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910792771.1
申请日：2019-08-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于半导体及其制造的技术领域，提供一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法。深紫外LED为其为采用激光切割衬底，使得电化学腐蚀液腐蚀牺牲层，实现大面积衬底剥离制得，所述电化学腐蚀液包括草酸溶液，所述牺牲层包括重掺杂的n‑GaN层。在电化学剥离前，先将蓝宝石衬底减薄，之后采用激光对蓝宝石衬底背面进行切割，切割轨迹呈网格状，露出重掺杂n‑GaN牺牲层，使得腐蚀溶液能够均匀腐蚀牺牲层，且电解过程中伴生的气泡能通过网格格点均匀排出，实现完整的大面积衬底剥离，获得高质量且界面光滑的外延层薄膜，进而制备大功率、发光效率高的深紫外LED，此法简单易行、效果显著、价格低廉。
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公开(公告)号：CN110137277B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910281833.2
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及其制备方法，所述探测器包括非极性自支撑GaN衬底、n型GaN层、n型Alx1Ga1‑x1N渐变层、本征Alx2Ga1‑x2N层、p型Aly1Ga1‑y1N/Aly2Ga1‑y2N超晶格层、p型GaN盖层，并自下而上依次排布；非极性自支撑GaN衬底的背面连接n型欧姆电极；p型GaN盖层的上表面连接p型欧姆电极。该探测器解决了极化电场较大、外延层与衬底之间晶格失配、p型掺杂困难、内部电场不均匀的问题，且简化了紫外光电探测器芯片制备工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137244B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910281837.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基自支撑衬底的垂直结构HEMT器件及制备方法。所述器件包括衬底、外延结构以及源极、栅极、漏极，所述外延结构包括依次在所述衬底正面形成的电流阻挡层、导通通孔、第二半导体层、第一半导体层以及钝化层，所述第一半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极位于所述钝化层上，所述漏极位于所述衬底背面。本发明中电流阻挡层为绝缘层，其栅下对应区域为Si掺杂的n型重掺杂电流导通通孔，且导通通孔的横截面呈倒梯形状，此结构有利于愈合，能够有效缓解空隙区漏电等问题。本发明提供的器件具有高耐压、低漏电等优点。
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公开(公告)号：CN110620167A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910792771.1
申请日：2019-08-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于半导体及其制造的技术领域，提供一种基于大面积衬底剥离的深紫外LED及其制备方法。深紫外LED为其为采用激光切割衬底，使得电化学腐蚀液腐蚀牺牲层，实现大面积衬底剥离制得，所述电化学腐蚀液包括草酸溶液，所述牺牲层包括重掺杂的n-GaN层。在电化学剥离前，先将蓝宝石衬底减薄，之后采用激光对蓝宝石衬底背面进行切割，切割轨迹呈网格状，露出重掺杂n-GaN牺牲层，使得腐蚀溶液能够均匀腐蚀牺牲层，且电解过程中伴生的气泡能通过网格格点均匀排出，实现完整的大面积衬底剥离，获得高质量且界面光滑的外延层薄膜，进而制备大功率、发光效率高的深紫外LED，此法简单易行、效果显著、价格低廉。
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公开(公告)号：CN110137277A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910281833.2
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及其制备方法，所述探测器包括非极性自支撑GaN衬底、n型GaN层、n型Alx1Ga1-x1N渐变层、本征Alx2Ga1-x2N层、p型Aly1Ga1-y1N/Aly2Ga1-y2N超晶格层、p型GaN盖层，并自下而上依次排布；非极性自支撑GaN衬底的背面连接n型欧姆电极；p型GaN盖层的上表面连接p型欧姆电极。该探测器解决了极化电场较大、外延层与衬底之间晶格失配、p型掺杂困难、内部电场不均匀的问题，且简化了紫外光电探测器芯片制备工艺。
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公开(公告)号：CN110085710A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910282332.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED，所述LED包括衬底、N型掺杂的GaN层、InxGa（1-x）N/GaN多量子阱有源区发光层、P型AlyGa（1-y）N电子阻挡层和P型GaN帽层，并在衬底的表面从下到上依次排布。本发明所述非极性GaN自支撑衬底能降低衬底和N型GaN之间的缺陷密度，减小了LED的极化效应，使有源区的电子和空穴受到极化效应的影响更小，更容易发生辐射复合即减小了载流子复合寿命，改善了LED的性能，从根本上消除LED有源区内电场对载流子寿命的影响，提高LED带宽。
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公开(公告)号：CN210837767U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201920477520.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型公开了一种GaN基HEMT器件，所述结构从下至上依次由漏极、衬底、电流阻挡层、导通通孔、Mg和Si共掺GaN中和层、本征AlxGa1‑xN渐变层、N‑GaN帽层、源极、钝化层以及栅极构成。所述本征AlxGa1‑xN渐变层内分布有二维电子气沟道，所述源极与N‑GaN帽层电连接，所述栅极位于所述钝化层上，所述漏极位于所述衬底背面。所述电流阻挡层为绝缘层，其栅下对应区域为高电子浓度的N型电流导通通孔，且导通通孔的横截面呈倒梯形状，此结构有利于愈合，能够有效缓解空隙区漏电等问题。本实用新型提供的一种GaN基HEMT器件具有高耐压、低漏电以及工艺简单等优点。
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