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公开(公告)号：CN117096187A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311284631.6
申请日：2023-10-07
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L27/085
Abstract: 本发明提供了一种电容可调控的双场板凸形势垒层CascodeHEMT器件及其制备方法，包括集成于一衬底上的增强型HEMT和耗尽型HEMT，层叠的GaN外延层、倒凸形势垒层，依次间隔、同层设置的第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极，AlGaN帽层上设置有第一栅极，第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极之间设置有钝化层；倒凸形势垒层由延伸至GaN外延层中的AlGaN埋层区域和AlGaN势垒层组成；第一栅极侧邻接设置有第一级场板，间隔设置有第二级场板，第一级场板位于AlGaN埋层区域的正上方；形成了高开关速度、耐压分布可调控的Cascode HEMT器件。
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