公开(公告)号：CN105552149B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510788788.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  刘力 ,  章勇 ,  张琪伦

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法，太阳能电池由自支撑GaN衬底、GaN缓冲层、n型掺杂GaN层、高In组分的InGaN/GaN量子阱层、p型掺杂GaN层和P型电极依次层叠构成。采用自支撑GaN衬底来生长外延层，并在量子阱层中采用高In组分；采用干法刻蚀的方法制作n型掺杂GaN 层台面，在台面上形成N型电极；采用光刻、镀膜等方法制作在p型掺杂GaN层之上形成P型电极。本发明可大幅提高所述太阳能电池的性能；采用自支撑GaN衬底，有效减少晶格失配，采用RF‑MBE技术生长高质量的高In组分InGaN，大大提高太阳能电池的吸光范围。

公开(公告)号：CN105449015B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510790881.6

申请日：2015-11-16

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  刘力 ,  章勇 ,  张琪伦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法。所述太阳能电池由P电极、p‑Si、n‑InGaN、N电极依次层叠构成，采用垂直电极电导结构，其中的异质结结构采用p‑Si/n‑InGaN杂合pn结，在p‑Si/n‑InGaN接触界面处的p‑Si表面处理成微纳金字塔结构。本发明可大幅度地提高InGaN太阳能电池器件的光电转换效率；有效解决了载流子输运和电极吸收问题，同时采用p‑Si替代高In组分的p‑InGaN，从根本上避开了InGaN的p型掺杂瓶颈问题，p‑Si表面生长出形状可控的微纳金字塔阵列，大大提高了太阳能电池的吸光能力，有效提高了太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN105990527A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610527049.1

申请日：2016-07-06

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 章勇 ,  吴巧玲 ,  张琪伦 ,  周永田

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/44 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42 ,  H01L51/442

Abstract: 本发明公开了一种银纳米线/ZnO叠层作为电子收集层的倒置聚合物太阳电池及其制备方法。目的在于利用银纳米线的散射和等离子体共振效应增强太阳能电池中活性层的光吸收能力，提高聚合物太阳能电池的光电转换效率和解决利用以旋涂法或喷涂法制备的银纳米线薄膜存在堆积的问题，从而减小银纳米线薄膜的表面粗糙度与电池器件短路。该制备方法的实现过程为：采用浸渍提拉法在ITO上形成有序的银纳米线薄膜，并通过旋凃或浸渍提拉一层ZnO层覆盖银纳米线层获得银纳米线/ZnO叠层，将银纳米线/ZnO叠层作为电子收集层制备倒置聚合物太阳能电池，提高电池器件的光电转换效率。

公开(公告)号：CN105552149A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510788788.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  刘力 ,  章勇 ,  张琪伦

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856

Abstract: 本发明提供了基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法，太阳能电池由自支撑GaN衬底、GaN缓冲层、n型掺杂GaN层、高In组分的InGaN/GaN量子阱层、p型掺杂GaN层和P型电极依次层叠构成。采用自支撑GaN衬底来生长外延层，并在量子阱层中采用高In组分；采用干法刻蚀的方法制作n型掺杂GaN 层台面，在台面上形成N型电极；采用光刻、镀膜等方法制作在p型掺杂GaN层之上形成P型电极。本发明可大幅提高所述太阳能电池的性能；采用自支撑GaN衬底，有效减少晶格失配，采用RF-MBE技术生长高质量的高In组分InGaN，大大提高太阳能电池的吸光范围。

公开(公告)号：CN105449015A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510790881.6

申请日：2015-11-16

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  刘力 ,  章勇 ,  张琪伦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法。所述太阳能电池由P电极、p-Si、n-InGaN、N电极依次层叠构成，采用垂直电极电导结构，其中的异质结结构采用p-Si/n-InGaN杂合pn结，在p-Si/n-InGaN接触界面处的p-Si表面处理成微纳金字塔结构。本发明可大幅度地提高InGaN太阳能电池器件的光电转换效率；有效解决了载流子输运和电极吸收问题，同时采用p-Si替代高In组分的p-InGaN，从根本上避开了InGaN的p型掺杂瓶颈问题，p-Si表面生长出形状可控的微纳金字塔阵列，大大提高了太阳能电池的吸光能力，有效提高了太阳能电池的光电转换效率。